三宅裕樹君(D3)がIEEE Kansai Section Student Paper Awardを受賞

2011/12/25 三宅裕樹君(D3)がIEEE Kansai Section Student Paper Awardを受賞しました。(受賞論文: IEEE Electron Device Letters, vol.32, 841 (2011), 4H-SiC BJTs With Record Current Gains of 257 on (0001) and 335 on (000-1))