丹羽弘樹君(D1)がSiC研究会にて講演奨励賞を受賞

 応用物理学会「SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会」第22回講演会において、丹羽弘樹君(博士課程1回生)が4H-SiC における衝突イオン化係数の温度依存性の発表で講演奨励賞を受賞しました。