広島国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会　第6回講演会（12月3-4日）において、伊藤滉二君（修士課程2回生）が「SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響」の発表で研究奨励賞を受賞しました。昨年度に引き続き本研究室から2年連続の受賞です。