京都で開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019, 9月29日-10月4日）において、伊藤滉二君（修士課程2回生）が「Interface State Density Distributions near The Conduction Band Edge Originating from The Conduction Band Fluctuation in SiO2/SiC Systems」という題目で招待講演者に選抜されました。リンクはコチラ。