奥田貴史君(M2)が第32回応用物理学会講演奨励賞を受賞

  • 2012/5/22 奥田貴史君(M2)が、2012年春季応用物理学会の発表「μ-PCD測定において観測された4H-SiC p型基板の極めて長いキャリア寿命」に対して第32回応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。