日吉透君(M2)が応用物理学会第17回講演会で研究奨励賞を受賞

日吉透君(M2)が応用物理学会「シリコンカーバイド(SiC)及びワイドギャップ半導体研究会」第17回講演会での発表「熱酸化によるn型4H-SiC中の深い準位の低減」に対して研究奨励賞を受賞しました。