立木馨大君(D2)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定

2020秋季応用物理学会学術講演会における、「酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面の形成」の発表に対し、立木馨大君(博士課程2回生)の講演奨励賞の受賞が内定しました。