逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功

低損失パワー半導体として有望なSiCで20年来の課題であった酸化膜/SiC界面欠陥を独自の概念、手法により、従来のベストに比べて1/10に低減することに成功しました。詳しくはこちら。

http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research/research_results/2020/200821_1.html

電波新聞(リンク)、日刊工業新聞、Yahoo News(リンク)、日経XTECH(リンク)、EE Times(リンク)などに掲載されました。