堀田昌宏

堀田 昌宏 特定助教 (Masahiro Horita)

連絡先
桂キャンパス 京都大学ローム記念館316西号室
Tel/Fax. 075-383-3042(研究室共用)
horita(a)semicon.kuee.kyoto-u.ac.jp

研究テーマ

窒化物半導体の物性解明および制御とパワーデバイスへの応用

専門分野
半導体結晶成長、半導体物性評価

英文論文一覧(Google Scholar)

学歴

  • 奈良学園高等学校普通科 卒業
  • 京都大学 工学部 電気電子工学科 卒業
  • 京都大学大学院 工学研究科電子工学専攻 修士課程 修了
  • 京都大学大学院 工学研究科電子工学専攻 博士後期課程 修了

職歴

  • 日本学術振興会特別研究員(DC2)
  • 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 助教 (2009/4-2015/4)
  • 京都大学大学院 工学研究科電子工学専攻 特定助教 (2015/5-)

研究歴
 修士・博士後期課程在学時(2004-2009)

  • 分子線エピタキシーによる無極性面窒化アルミニウム結晶成長と結晶性評価
  • 無極性面窒化アルミニウムの光・電子デバイス応用に関する研究

 奈良先端大助教就任時(2009-2015)

  • レーザー結晶化による多結晶シリコン薄膜および絶縁膜の形成
  • 原子層堆積によるアルミナ膜の窒化ガリウム電子デバイス応用
  • 同一ポリタイプを有する無極性面4H-AlN/4H-SiC界面の物性評価

受賞

  • 第36回結晶成長国内会議 講演奨励賞
  • 7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Best Student Poster Award
  • 第26回応用物理学会講演奨励賞
  • International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices 2015, ECS Japan Section Young Researcher Award

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