鐘ヶ江 一孝

  • 鐘ヶ江 一孝 (Kazutaka Kanegae)
  • 博士後期課程1回生 (修士博士連携コース)
  • 趣味 京都観光、電子工作

研究テーマ

窒化ガリウム(GaN)縦型パワーデバイス実現に向けた基礎物性評価

  • 過渡容量分光法によるGaN成長層中の点欠陥評価
  • ラマン散乱分光・赤外反射分光法によるGaNの評価

経歴

  • 2019年4月 京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 博士後期課程
  • 2019年3月 京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 修士課程 修了
  • 2017年3月 京都大学 工学部 電気電子工学科 卒業
  • 2013年3月 福岡県立小倉高等学校 卒業

論文

  • K. Kanegae, H. Fujikura, Y. Otoki, T. Konno, T. Yoshida, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in n-type GaN homoepitaxial layers grown by quartz-free hydride-vapor-phase epitaxy,” Appl. Phys. Lett., 115, 012103 (2019) (Editor’s pick).
  • K. Kanegae, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Accurate method for estimating hole trap concentration in n-type GaN via minority carrier transient spectroscopy”, Appl. Phys. Express, 11, 071002 (2018).
  • K. Kanegae, M. Kaneko, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda, “Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies”, Jpn. J. Appl. Phys., 57, 070309 (2018).

国際学会発表

  • K. Kanegae, T. Okuda, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto, “Depth Profiles of Defects Generated by RIE in 4H-SiC Characterized by Deep-level Transient Spectroscopy”, 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (Okinawa, Japan, 2019), ED4-5.
  • K. Kanegae, T. Okuda, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto, “Depth Profiles of Deep Levels Generated by ICP-RIE in 4H-SiC”, Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (Kyoto, Japan, 2019), We-3B-05.
  • K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Quick measurement method of carbon-related defect concentration in n-type GaN  by dual-color-sub-bandgap-light-excited isothermal capacitance transient spectroscopy”, 2019 Int. Conf. on Solid-State Devices and Materials (Nagoya, Japan, 2019), K-7-04.
  • K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Photon energy dependence of photoionization cross section ratio of electron to hole for the carbon-related hole trap in n-type GaN”, 30th International Conference on Defects in Semiconductors (Seattle, Washington, USA, 2019), Poster Session Ⅱ 2.
  • K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Determination Methods of H1 Trap Concentration in N-Type GaN Schottky Barriers via Sub-Bandgap-Light Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy”, 13th International Conference on Nitride Semiconductors (Bellevue, Washington, USA, 2019), J01.03.
  • K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda, “Hole occupancy ratio of H1 trap in homoepitaxial n-type GaN under sub-bandgap light irradiation” (invited), International Workshop on Nitride Semiconductors (Kanazawa, Japan, 2018), CR16-1.
  • K. Kanegae, H. Fujikura, Y. Otoki, T. Konno, T. Yoshida, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “DLTS studies of quartz-free-HVPE-grown homoepitaxial n-type GaN”, International Workshop on Nitride Semiconductors (Kanazawa, Japan, 2018), CR11-2.
  • K. Kanegae, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Accurate estimation of H1 trap concentration in n-type GaN layers”, International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (Warsaw, Poland, 2018), Tu4.4.
  • K. Kanegae, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Measurement of H1 trap concentration in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN by optical isothermal capacitance transient spectroscopy using sub-bandgap photoexcitation”, Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2018 (Kitakyusyu, Japan, 2018), A7-4.
  • K. Kanegae, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda, “Investigation of hole traps in n-type homoepitaxial GaN by ODLTS focusing on sub-bandgap-light optical excitation process”, 12th International Conference on Nitride Semiconductors (Strasbourg, France, 2017), C02.24

受賞歴等

  • 2019年10月, 第38回電子材料シンポジウムにてEMS賞を受賞.
  • 2019年7月, Appl. Phys. Lett.にて発表した論文”Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in n-type GaN homoepitaxial layers grown by quartz-free hydride-vapor-phase epitaxy”がAPLの”Editor’s pick”に選出.
  • 2019年7月, 京都大学大学院工学研究科から博士後期課程へ進学し、研究業績・品格ともに優れ、かつ欧米先進国で海外研修等を行おうとするものに与えられる工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞 (工学研究科全体約700名中14名).
  • 2018年11月, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018)にて招待講演に選抜 (432件中18件).
  • 2018年11月, 第5回先進パワー半導体講演会にて研究奨励賞を受賞 (27件中2件).
  • 2017年8月, つくばイノベーションアリーナ(TIA)主催 第6回パワーエレクトロニクスサマースクールにて奨励賞を受賞 (約120名中3名).
  • 2017年6月, 第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会にて発表奨励賞を受賞 (37名中5名).
  • 2017年6月, 京都大学工学部で優れた卒業研究を行ったものに与えられる吉田卒業研究・論文賞を受賞 (工学部全体約1000名中17名).
  • 2017年3月, 京都大学卒業式京都大学工学部 副代表に選出 (工学部全体から正代表1名・副代表1名).
  • 2014年9月, 京都大学工学部電気電子工学科エレクトロニクスサマーキャンプ 2回生自由電子工作コンテストにて最優秀賞を受賞 (12名中1名).