伊藤滉二君(M1)が吉田卒業研究・論文賞を受賞

伊藤滉二君(修士課程1回生)が卒業研究「界面準位密度のエネルギー分布を考慮したSiC MOSFETの電気的特性のモデリング」で第3回吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。