2009/12/18 川原洸太朗君(M2)が応用物理学会「SiC及びワイドギャップ半導体研究会」第18回講演会での発表「デバイスプロセスによって4H-SiC中に生じる深い準位の検出および低減」に対して研究奨励賞を受賞しました。