無極性面活用によりSiC MOSFETの性能を6倍以上向上

SiC半導体で問題になっていた酸化膜/半導体界面欠陥を独自の手法で低減すると共に、
実用上重要な結晶面(無極性面)を活用することで、SiCトランジスタ(MOSFET)の性能を
6倍以上向上することに成功しました。
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Yahoo News(リンク)、
日刊工業新聞(リンク)、
EE Times(リンク)、
マイナビニュース(リンク)などに掲載されました。