田中一君(D2)が先進パワー半導体分科会 第3回講演会で研究奨励賞を受賞

つくば国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会 第3回講演会(11月8-9日)において、田中一君(博士課程2回生)が「p型4H-SiCにおけるHall散乱因子・正孔密度・正孔移動度の理論的検討」の発表で研究奨励賞を受賞しました。昨年度に引き続き本研究室から2年連続の受賞です。