IEEE半導体パワーデバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD2012)で丹羽弘樹君(修士課程2回生)がSiC pinダイオードの高耐圧化の研究発表でCharitat Award(若手最優秀発表賞)を受賞しました。昨年の三宅裕樹君(SiC BJT)に続く2年連続の受賞です。