宮谷俊輝

  • 宮谷 俊輝 (Miyatani Toshiki)
  • 博士後期課程2回生 (修士博士連携コース) 日本学術振興会DC2
  • 趣味: ダイビング ロードバイク 漫画(読む専)

研究テーマ

Ta酸化物を用いたアナログ抵抗変化型メモリに関する基礎研究

経歴

  • 2020年4月 — 現在 | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻博士後期課程
  • 2018年4月 — 2020年3月 | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程修了 修士(工学)
  • 2014年4月 — 2018年3月 | 京都大学工学部電気電子工学科卒業 学士(工学)
  • 2013年3月 | 奈良県立畝傍高等学校卒業

原著論文

  1. T. Miyatani, Y. Nishi, T. Kimoto, “Dominant conduction mechanism in TaOx-based resistive switching devices”, Jpn. J. Appl. Phys. 58, 090914 (2019).
  2. T. Miyatani, Y. Nishi, T. Kimoto, “Two modes of bipolar resistive switching characteristics in asymmetric TaOx-based ReRAM cells”, MRS Adv. 4, 2601 (2019).

国際会議発表

  1. T. Miyatani, T. Kimoto, and Y. Nishi, “Oxygen composition dependence of forming characteristics in analog resistive switching cells with Pt/TaOx/Ta2O5/Pt stack structure”, Material Research Society Fall Meeting 2021 (MRS fall 2021), Virtual, Nov. 2021, Oral, to be presented.
  2. T. Miyatani, T. Kimoto, and Y. Nishi, “Impacts of Oxygen Composition in an Oxygen‐vacancy Reservoir Layer on Forming and Resistive Switching Characteristics in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt Cells”, 4th International Conference on Memristive Materials Devices & Systems (MEMRISYS 2021), Virtual, Nov. 2021, Poster, 19.
  3. T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Complementary Resistive Switching Characteristics and Gradual Set/Reset Processes in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt Cells”, 4th International Conference on Memristive Materials Devices & Systems (MEMRISYS 2021), Virtual, Nov. 2021, Oral, 2A-5.
  4. T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Correlation Between Depth Distribution of Chemical Compositions and Resistive Switching Characteristics in Metal/Ta2O5/Pt Cells”, Material Research Society Spring/Fall Meeting 2020 (MRS spring/fall 2020), Virtual, Nov. 2020, Poster(short presentation), F.NM07.11.08.
  5. T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Improvement of analog resistive switching characteristics in TaOx-based synaptic devices through complementary resistive switching”, Material Research Society Spring/Fall Meeting 2020 (MRS spring/fall 2020), Virtual, Nov. 2020, Oral, F.NM07.06.06.
  6. T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Gradual resistive switching characteristics in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt cells”, Int. Symp. on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2020, Kyoto, Japan, Mar. 2020, Poster, A-17.
  7. T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Impacts of an asymmetric stack structure in TaOx-based ReRAM cells on resistive switching characteristics”, Material Research Society Spring Meeting (MRS spring 2019), Phoenix, USA, Apr. 2019, Oral, EP09.07.02
  8. T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Analyses on carrier transport in TaOx-based ReRAM cells”, Int. Symp. on Photonics and Electronics Science and Engineering 2019, Kyoto, Japan, Mar. 2019, Poster, P-14.
  9. T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “DC and AC electrical characteristics of Ta2O5-based ReRAM cells”, 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2018 (MNC31), Sapporo, Japan, Nov. 2018, Poster, 16P-11-24.

国内会議発表

  1. 宮谷俊輝, 木本恒暢, 西佑介, “Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子におけるフォーミング特性の酸素組成x依存性”, 第82回 応用物理学会 秋季学術講演会, オンライン, 9月 (2021), 口頭発表, 12p-S203-4.
  2. 宮谷俊輝, 山田和尚, 西佑介, 木本恒暢, “Ni/Ta2O5/TiN素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化”, 第68回 応用物理学会 春季学術講演会, オンライン, 3月 (2021), 口頭発表, 19p-Z14-15.
  3. 宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Mode Control of Resistive Switching Operations in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt Cells”, 薄膜材料デバイス研究会 第17回研究集会, オンライン, 11月 (2020), 口頭発表, A-151.
  4. 宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Ta酸化物中の化学組成分布と抵抗変化のアナログ制御性の相関”, 第81回 応用物理学会 秋季学術講演会, オンライン, 9月 (2020), 口頭発表, 11p-Z07-2.
  5. 宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Ta酸化物を用いた抵抗変化素子の電気伝導機構”, 第38回電子材料シンポジウム(EMS38), 10月 (2019), ポスター発表, Fr-2-7.
  6. 宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Pt/TaOx/Ta2O5/Pt素子における2種類のバイポーラ型抵抗変化の遷移過程で見られるアナログ抵抗変化”, 第80回 応用物理学会 秋季学術講演会, 北海道大学, 9月 (2019), 口頭発表, 19p-E311-6.
  7. 宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Pt/TaOx/Ta2O5/Pt素子の直流および交流コンダクタンスの温度依存性の解析”, 第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京工業大学, 3月 (2019), 口頭発表, 10p-W641-11.
  8. 宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Pt/TaOx/Ta2O5/Pt素子における準高抵抗状態の発現”, 第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京工業大学, 3月 (2019), 口頭発表, 10p-W641-10.
  9. 宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子の直流および交流電気的特性の解析”, 第79回 応用物理学会 秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 9月 (2018), 口頭発表, 20a-222-5.
  10. 宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Ta2O5を用いた抵抗変化素子特性の酸素組成および膜厚依存性”, 第65回 応用物理学会 春季学術講演会, 早稲田大学, 3月 (2018), 口頭発表, 18p-C102-16.