宮谷俊輝

  • 宮谷 俊輝 (Miyatani Toshiki)
  • 博士後期課程3回生 (修士博士連携コース) 日本学術振興会DC2
  • 趣味: ダイビング ロードバイク 漫画(読む専)

研究テーマ

Ta酸化物を用いたアナログ抵抗変化型メモリに関する基礎研究

経歴

  • 2020年4月 — 現在 | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻博士後期課程
  • 2018年4月 — 2020年3月 | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程修了 修士（工学）
  • 2014年4月 — 2018年3月 | 京都大学工学部電気電子工学科卒業 学士（工学）
  • 2013年3月 | 奈良県立畝傍高等学校卒業

原著論文

  1. T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Methods of controlling operation modes in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt resistive switching cells”, Jpn. J. Appl. Phys. 61, SM1006 (2022).
  2. T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Dominant conduction mechanism in TaOx-based resistive switching devices”, Jpn. J. Appl. Phys. 58, 090914 (2019).
  3. T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Two modes of bipolar resistive switching characteristics in asymmetric TaOx-based ReRAM cells”, MRS Adv. 4, 2601 (2019).

国際会議発表

  1. ○T. Miyatani, T. Kimoto, and Y. Nishi, “Reduction of the operating current range of analog resistive switching in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt cells by controlling the supply of oxygen vacancies”, Material Research Society Spring Meeting 2022 (MRS spring 2022), Virtual, May 2021, Oral, EQ11.14.03.
  2. ○T. Miyatani, T. Kimoto, and Y. Nishi, “Oxygen composition dependence of forming characteristics in analog resistive switching cells with Pt/TaOx/Ta2O5/Pt stack structure”, Material Research Society Fall Meeting 2021 (MRS fall 2021), Virtual, Nov. 2021, Oral, SB04.08.05.
  3. ○T. Miyatani, T. Kimoto, and Y. Nishi, “Impacts of Oxygen Composition in an Oxygen‐vacancy Reservoir Layer on Forming and Resistive Switching Characteristics in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt Cells”, 4th International Conference on Memristive Materials Devices & Systems (MEMRISYS 2021), Virtual, Nov. 2021, Poster, 19. [Excellent Poster Presentation Awards受賞]
  4. ○T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Complementary Resistive Switching Characteristics and Gradual Set/Reset Processes in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt Cells”, 4th International Conference on Memristive Materials Devices & Systems (MEMRISYS 2021), Virtual, Nov. 2021, Oral, 2A-5.
  5. ○T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Correlation Between Depth Distribution of Chemical Compositions and Resistive Switching Characteristics in Metal/Ta2O5/Pt Cells”, Material Research Society Spring/Fall Meeting 2020 (MRS spring/fall 2020), Virtual, Nov. 2020, Poster(short presentation), F.NM07.11.08.
  6. ○T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Improvement of analog resistive switching characteristics in TaOx-based synaptic devices through complementary resistive switching”, Material Research Society Spring/Fall Meeting 2020 (MRS spring/fall 2020), Virtual, Nov. 2020, Oral, F.NM07.06.06.
  7. ○T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Gradual resistive switching characteristics in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt cells”, Int. Symp. on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2020, Kyoto, Japan, Mar. 2020, Poster, A-17.
  8. ○T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Impacts of an asymmetric stack structure in TaOx-based ReRAM cells on resistive switching characteristics”, Material Research Society Spring Meeting (MRS spring 2019), Phoenix, USA, Apr. 2019, Oral, EP09.07.02.
  9. ○T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Analyses on carrier transport in TaOx-based ReRAM cells”, Int. Symp. on Photonics and Electronics Science and Engineering 2019, Kyoto, Japan, Mar. 2019, Poster, P-14.
  10. ○T. Miyatani, Y. Nishi, and T. Kimoto, “DC and AC electrical characteristics of Ta2O5-based ReRAM cells”, 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2018 (MNC31), Sapporo, Japan, Nov. 2018, Poster, 16P-11-24.

国内会議発表

  1. ○宮谷俊輝, 木本恒暢, 西佑介, “Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子におけるフォーミング特性の酸素組成x依存性”, 第82回 応用物理学会 秋季学術講演会, オンライン, 9月 (2021), 口頭発表, 12p-S203-4.
  2. ○宮谷俊輝, 山田和尚, 西佑介, 木本恒暢, “Ni/Ta2O5/TiN素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化”, 第68回 応用物理学会 春季学術講演会, オンライン, 3月 (2021), 口頭発表, 19p-Z14-15.
  3. ○宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Mode Control of Resistive Switching Operations in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt Cells”, 薄膜材料デバイス研究会 第17回研究集会, オンライン, 11月 (2020), 口頭発表, A-151.
  4. ○宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Ta酸化物中の化学組成分布と抵抗変化のアナログ制御性の相関”, 第81回 応用物理学会 秋季学術講演会, オンライン, 9月 (2020), 口頭発表, 11p-Z07-2.
  5. ○宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Ta酸化物を用いた抵抗変化素子の電気伝導機構”, 第38回電子材料シンポジウム(EMS38), 10月 (2019), ポスター発表, Fr-2-7.
  6. ○宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Pt/TaOx/Ta2O5/Pt素子における2種類のバイポーラ型抵抗変化の遷移過程で見られるアナログ抵抗変化”, 第80回 応用物理学会 秋季学術講演会, 北海道大学, 9月 (2019), 口頭発表, 19p-E311-6.
  7. ○宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Pt/TaOx/Ta2O5/Pt素子の直流および交流コンダクタンスの温度依存性の解析”, 第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京工業大学, 3月 (2019), 口頭発表, 10p-W641-11.
  8. ○宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Pt/TaOx/Ta2O5/Pt素子における準高抵抗状態の発現”, 第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京工業大学, 3月 (2019), 口頭発表, 10p-W641-10.
  9. ○宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子の直流および交流電気的特性の解析”, 第79回 応用物理学会 秋季学術講演会, 名古屋国際会議場, 9月 (2018), 口頭発表, 20a-222-5.
  10. ○宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢, “Ta2O5を用いた抵抗変化素子特性の酸素組成および膜厚依存性”, 第65回 応用物理学会 春季学術講演会, 早稲田大学, 3月 (2018), 口頭発表, 18p-C102-16.

受賞歴等

  1. 2021年11月: The 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems 2021 (MEMRISYS 2021)においてExcellent Poster Presentation Awardsを受賞