伊藤滉二

研究テーマ

SiC MOSFETのキャリア散乱機構に関する基礎研究

経歴

  • 2020年4月 — 現在 | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻博士後期課程
  • 2018年4月 — 2020年3月 | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程修了 修士(工学)
  • 2014年4月 — 2018年3月 | 京都大学工学部電気電子工学科卒業 学士(工学)

原著論文

  1. K. Tachiki, K. Mikami, K. Ito, M. Kaneko, and T. Kimoto,
    “Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), (11-20), and (1-100) MOSFETs via an oxidation-minimizing process,”
    Appl. Phys. Express 15, 071001 (2022). [Spotlights 2022]
  2. T. Hosoi, M. Ohsako, K. Moges, K. Ito, T. Kimoto, M. Sometani, M. Okamoto, A. Yoshigoe, T. Shimura, and H. Watanabe,
    “Impact of post-nitridation annealing in CO2 ambient on threshold voltage stability in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,”
    Appl. Phys. Express 15, 061003 (2022).
  3. K. Mikami, K. Tachiki, K. Ito, T. Kimoto,
    “Body doping dependence of field-effect mobility in both n-and p-channel 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with nitrided gate oxides,”
    Appl. Phys. Express 15, 036503 (2022).
  4. K. Ito, T. Kobayashi, T. Kimoto,
    “Effect of quantum confinement on the defect-induced localized levels in 4H-SiC(0001)/SiO2 systems,”
    J. Appl. Phys. 128, 095702 (2020).
  5. T. Kobayashi,* T. Okuda,* K. Tachiki, K. Ito, Y. Matsushita, and T. Kimoto,
    “Design and formation of SiC (0001)/SiO2 interfaces via Si deposition followed by low-temperature oxidation and high-temperature nitridation,”
    Appl. Phys. Express 13, 091003 (2020). [open access] *equally contributed
  6. K. Ito, T. Kobayashi, and T. Kimoto,
    “Influence of vacuum annealing on interface properties of SiC (0001) MOS structures,”
    Jpn. J. Appl. Phys., 58, 078001 (2019).
  7. T. Kobayashi, K. Tachiki, K. Ito, and T. Kimoto,
    “Reduction of interface state density in SiC (0001) MOS structures by low-oxygen-partial-pressure annealing,”
    Appl. Phys. Express, 12, 031001 (2019).

国際会議録

  1. T. Kimoto, M. Kaneko, K. Tachiki, K. Ito, R. Ishikawa, X. Chi, D. Stefanakis, T. Kobayashi, and H. Tanaka,
    “Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices,”
    Tech. Digest of 67th IEEE Int. Electron Devices Meeting (San Francisco, 2021), 36-1-1 – 36-1-4.

国際会議発表

  1. ○K. Mikami, K. Tachiki, K. Ito, and T. Kimoto,
    “Body Doping Dependence of Channel Mobility in Both n-and p-Channel 4H-SiC MOSFETs,”
    Int. Symp. on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2022, Kyoto, Japan, Mar. (2022), Poster, P-69.
  2. K. Ito, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto,
    “Body Doping Dependence of Effective Channel Mobility for SiC MOSFETs with Phosphorus Treatment,”
    Int. Symp. on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2022, Kyoto, Japan, Mar. (2022), Poster, P-65.
  3. ○K. Tachiki, K. Mikami, K. Ito, M. Kaneko, and T. Kimoto,
    “Enhanced Channel Mobility for 4H-SiC MOSFETs Using Hydrogen Treatment before SiO2 Deposition and Nitridation,”
    Int. Symp. on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2022, Kyoto, Japan, Mar. (2022), Poster, P-63.
  4. T. Kimoto, M. Kaneko, K. Tachiki, K. Ito, R. Ishikawa, X. Chi, D. Stefanakis, T. Kobayashi, and H. Tanaka,
    “Physics and Innovative Technologies in SiC Power Devices,”
    67th IEEE Int. Electron Devices Meeting, San Francisco, USA, Dec. (2021), Oral, 36-1. [Invited]
  5. ○K. Tachiki, K. Ito, M. Kaneko, and T. Kimoto,
    “Mobility improvement in 4H-SiC MOSFETs by H2 etching before SiO2 deposition and interface nitridation,”
    Europ. Conf. on Silicon Carbide & Related Materials 2020·2021, Tours, France/Online, Oct. (2021), Oral, TU-1B-Inv. [Invited]
  6. K. Ito, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto,
    “Universal Mobility in SiC MOSFETs with Very Low Interface State Density,”
    Europ. Conf. on Silicon Carbide & Related Materials 2020·2021, Tours, France/Online, Oct. (2021), Oral, TU-1B-02.
  7. ○K. Mikami, K. Ito, K. Tachiki, and T. Kimoto,
    “Channel mobility of NO- and N2-annealed 4H-SiC(0001) p-channel MOSFETs with various donor concentrations of n-body,”
    Europ. Conf. on Silicon Carbide & Related Materials 2020·2021, Tours, France/Online, Oct. (2021), Oral, TU-1B-01.
  8. K. Ito and T. Kimoto,
    “Modeling of MOSFET Characteristics,”
    Mini-Conference on Materials, Processing and Fabrication of Advanced Wide Bandgap Power Devices, Columbus/Online, May (2021), Oral, 2-2.
  9. ○T. Kimoto, T. Kobayashi, K. Tachiki, K. Ito, and M. Kaneko,
    “Progress and Future Challenges of SiC Power MOSFETs,”
    5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2021, Chengdu, China/Online, Mar. (2021), Oral, FR2A2-2. [Invited]
  10. K. Ito, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto,
    “Investigation of Universal Electron Mobility in SiC(0001)/SiO2 Systems with Phosphorus Treatment,”
    Int. Symp. on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2021, Kyoto, Japan, Mar. (2021), Poster, B16.
  11. K. Ito, T. Kobayashi, and T. Kimoto,
    “Interface State Density Distribution Considering the Inversion Layer Quantization in SiC MOSFETs,”
    Int. Symp. on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2020, Kyoto, Japan, Mar. (2020), Poster, P-34.
  12. K. Ito, T. Kobayashi, and T. Kimoto,
    “Energy distributions of interface state density originating from tail states of the conduction band in SiC MOS structures,”
    The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Okinawa, Japan, Nov. (2019), Oral, CH4-4.
  13. K. Ito, T. Kobayashi, and T. Kimoto,
    “Interface State Density Distributions near The Conduction Band Edge Originating from The Conduction Band Fluctuation in SiO2/SiC Systems,”
    Int. Conf. on Silicon Carbide & Related Materials 2019, Kyoto, Japan, Oct. (2019), Oral, Tu-3A-01. [Invited]
  14. ○T. Kimoto, T. Kobayashi, K. Tachiki, and K. Ito,
    “Promise and Future Challenges of SiC Power MOSFETs,”
    21st Int. Conf. on Insulating Films on Semiconductors, Cambridge, UK, July (2019), Oral, 4.1. [Invited]
  15. K. Ito, T. Kobayashi, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto,
    “Estimation of interface-state-density distribution of SiC MOS structures from gate characteristics of MOSFETs,”
    Int. Symp. on Photonics and Electronics Science and Engineering 2019, Kyoto, Japan, Mar. (2019), Poster, P-15.
  16. ○T. Kobayashi, K. Tachiki, K. Ito, Y. Matsushita, and T. Kimoto,
    “Reduction of interface state density in SiC (0001) MOS structures by very-low-oxygen-partial-pressure annealing,”
    Europ. Conf. on Silicon Carbide & Related Materials 2018, Birmingham, UK, Sep. (2018), Oral, TU.01a.05. [Late News]
  17. K. Ito, T. Kobayashi, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto,
    “Modeling of Electron Trapping in SiC MOSFETs Considering Interface-State-Density Distribution Extracted from Gate Characteristics,”
    Europ. Conf. on Silicon Carbide & Related Materials 2018, Birmingham, UK, Sep. (2018), Poster, MO.P.MI6.

国内会議発表

  1. 伊藤 滉二, 田中 一, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢,
    “様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性,”
    第69回 応用物理学会 春季学術講演会, 神奈川県/オンライン, 3月 (2022), 口頭発表, 24p-E302-8. [講演奨励賞受賞]
  2. ○小林 拓真, 奥田 貴史, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 松下 雄一郎, 木本 恒暢,
    “SiC熱酸化抑制プロセスによる高品質SiC/SiO2界面の形成,”
    第69回 応用物理学会 春季学術講演会, 神奈川県/オンライン, 3月 (2022), 口頭発表, 24p-E302-3. [招待講演 (第43回論文奨励賞受賞記念講演)]
  3. 伊藤 滉二, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢,
    “リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層濃度依存性,”
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会, オンライン, 12月 (2021), ポスター発表, IIA-10.
  4. ○三上 杏太, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 木本 恒暢,
    “NOアニールを施した4H-SiC n・pチャネルMOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層不純物密度依存性,”
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会, オンライン, 12月 (2021), ポスター発表, IA-9.
  5. ○小林 拓真, 奥田 貴史, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 松下 雄一郎, 木本 恒暢,
    “炭素欠陥制御に基づくSiC/SiO2界面の高品質化,”
    令和3年11月度電子情報通信学会 (SDM) 研究会, オンライン, 11月 (2021), 口頭発表. [招待講演]
  6. 伊藤 滉二, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢,
    “リン処理を施したSiC MOSFETにおける実効移動度のボディ電位依存性,”
    第68回 応用物理学会 春季学術講演会, オンライン, 3月 (2021), 口頭発表, 18p-Z05-6.
  7. ○三上 杏太, 伊藤 滉二, 立木 馨大, 木本 恒暢,
    “様々なボディ層ドナー密度を有する 4H-SiC(0001) pチャネルMOSFETのチャネル移動度評価,”
    第68回 応用物理学会 春季学術講演会, オンライン, 3月 (2021), 口頭発表, 18p-Z05-5.
  8. 伊藤 滉二, 小林 拓真, 木本 恒暢,
    “SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響,”
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会, オンライン, 12月 (2020), 口頭発表. [招待講演 (昨年度奨励賞受賞記念講演)]
  9. 伊藤 滉二, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢,
    “リン処理を施したSiC(0001)/SiO2界面における反転層電子のユニバーサル移動度の評価,”
    第67回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京都, 3月 (2020), 口頭発表, 15p-A201-7.
  10. ○細井 卓治, 大迫 桃恵, 伊藤 滉二, 志村 考功, 木本 恒暢, 渡部 平司,
    “CO2アニールによるSiO2/SiC界面窒素量制御とSiC MOSFET信頼性向上,”
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会, 広島県, 12月 (2019), ポスター発表, IB-12.
  11. 伊藤 滉二, 小林 拓真, 木本 恒暢,
    “SiC(0001)/SiO2界面における欠陥準位に対する反転層内量子化の影響,”
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会, 広島県, 12月 (2019), ポスター発表, IA-9. [研究奨励賞受賞]
  12. ○細井 卓治, 大迫 桃恵, 伊藤 滉二, 志村 考功, 木本 恒暢, 渡部 平司,
    “NO窒化後のCO2熱処理によるSiC MOSFETの閾値電圧安定性向上,”
    第80回 応用物理学会秋季学術講演会, 北海道, 9月 (2019), 口頭発表, 20a-E311-9.
  13. 伊藤 滉二, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢,
    “リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層アクセプタ密度依存性,”
    第80回 応用物理学会秋季学術講演会, 北海道, 9月 (2019), 口頭発表, 20a-E311-3.
  14. 伊藤 滉二, 小林 拓真, 木本 恒暢,
    “SiC MOS界面における伝導帯端の異常なゆらぎの発見,”
    第320回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会, 大阪府, 7月 (2019), ポスター発表, 8. [発表奨励賞受賞]
  15. 伊藤 滉二, 小林 拓真, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢,
    “SiC MOSFETにおける界面準位密度分布のボディ層濃度依存性,”
    第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京都, 3月 (2019), 口頭発表, 11a-70A-7.
  16. 伊藤 滉二, 小林 拓真, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢,
    “SiC MOSFETのゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価,”
    応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第5回講演会, 京都府, 11月 (2018), ポスター発表, IA-16.
  17. 伊藤 滉二, 小林 拓真, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢,
    “高濃度ボディ層を有するSiC MOSFETのゲート特性に着目した界面準位密度評価,”
    第79回 応用物理学会 秋季学術講演会, 愛知県, 9月 (2018), 口頭発表, 20a-141-6.
  18. 伊藤 滉二, 立木 馨大, 小林 拓真, 堀田 昌宏, 須田 淳, 木本 恒暢,
    “SiC MOSFETの室温ゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価,”
    第65回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京都, 3月 (2018), 口頭発表, 20p-D103-4.

受賞歴等

  1. 2020年12月 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会にて招待講演 (昨年度奨励賞受賞記念講演).
  2. 2020年10月 工学研究科馬詰研究奨励賞 受賞 (京都大学工学研究科博士課程1年生約176名中15名(各専攻1名)).
  3. 2020年01月 第320回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会 発表奨励賞 受賞 (17件中4件).
  4. 2019年12月 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 研究奨励賞 受賞 (22件中2件).
  5. 2019年10月 Int. Conf. on Silicon Carbide & Related Materials 2019 (ICSCRM2019)にて、招待講演に選抜 (基調講演を除く358件中26件).
  6. 2018年10月 京都大学広報誌「工学広報 No.70」の記事執筆 (吉田卒業研究・論文賞受賞者17名中2名).
  7. 2018年08月 つくばイノベーションアリーナ (TIA) 主催 第7回パワーエレクトロニクスサマースクール 奨励賞 受賞 (若手研究者約100名中3名).
  8. 2018年06月 吉田卒業研究・論文賞 受賞 (京都大学工学部全学科の2017年度卒業生約1000名中17名(各専攻1名)).