前田拓也君(D1)がThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018)でIEEE EDS Japan Chapter Student Award (IEDM)を受賞

サンフランシスコで開催されたThe 64th International Electron Devices Meeting (IEDM2018, 12月1-5日)において,前田拓也君(博士課程1回生)が「Parallel-Plane Breakdown Fields of 2.8-3.5 MV/cm in GaN-on-GaN p-n Junction Diodes with Double-Side-Depleted Shallow Bevel Termination (Technical Digest: https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/8614669 )」の発表に対し,IEEE EDS Japan Chapter Student Awardを受賞しました.