立木馨大

  • 立木馨大 (Keita Tachiki)
  • 博士後期課程2回生 (修士博士連携コース)
  • 趣味 ピアノ, オーディオ, アニメ鑑賞

研究テーマ

超低損失SiC MOSFET実現に向けた界面準位の
低減および設計指針の提示

  • SiC MOS高密度界面準位の低減プロセスの確立
  • SiC MOSFETにおける短チャネル効果に関する基礎研究

経歴

  • 2019年4月 京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 博士後期課程
  • 2019年3月 京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 修士課程 修了
  • 2017年3月 同志社大学 工学部 電気工学科 卒業
  • 2013年3月 愛知県立明和高等学校 卒業

論文

  • K. Tachiki, T. Ono, T. Kobayashi, H. Tanaka, and T. Kimoto, “Estimation of threshold voltage in SiC short channel MOSFETs”, IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE, 65, 3077 (2018).

国際学会発表

  • K. Tachiki and T. Kimoto, “Impact of high-temperature nitrogen annealing on interface properties of p-type 4H-SiC/SiO2”, The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, ThP-HC-13, Okinawa, Japan, 9/ 2019
  • K. Tachiki and T. Kimoto, “Reduction of interface states in 4H-SiC/SiO2 near both conduction and valence band edges by high-temperature nitrogen annealing”, International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019, Mo-2A-05, Kyoto, Japan, 9-10/2019
  • K. Tachiki, T. Ono, T. Kobayashi, and T. Kimoto, “Estimation of threshold voltage in SiC short-channel MOSFETs”, International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2017, TU.04a.04, Birmingham, UK, 9/2018.
  • K. Tachiki , T. Ono, T. Kobayashi and T. Kimoto, “Experimental study on short channel effects in 4H-SiC MOSFETs”, International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2017, TU.DP.16, Washington DC, USA, 9/2017 Late News.

受賞歴等

  • 2019年01月 第315回 電気材料技術懇談会 若手研究発表会 発表奨励賞 受賞