パワーエレクトロニクス・サマースクール2024（8月26-27日）において、伊東遼馬君(修士1回生)が奨励賞および審査員特別賞（最優秀）を受賞しました。

立木馨大君(博士課程修了生、現 当研究室研究員)が Appl. Phys. Express誌にて発表した論文（“Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), ( […]

金子光顕助教がIEEE Electron Device Lett.誌にて発表した論文「“SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Oper […]

筑波で開催された第12回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール(8月25-27日)において、利光汐音君(修士1回生)が奨励賞および審査員特別賞（最優秀）を受賞しました。

三上杏太君(D1)が「SiC MOSFET反転層内キャリア輸送機構の解明と高温動作集積回路の実証」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

原征大君(D3)が「金属/高濃度ドープSiC界面キャリア輸送の理解に基づく低抵抗オーミック接合の形成」に対して工学研究科吉田研究奨励賞を受賞しました。

利光汐音君(修士1回生)が卒業研究「三次元ゲート構造を有するSiC MOSFETに関する基礎的研究」で令和５年度吉田卒業研究・論文賞を受賞しました。

金子光顕助教が「炭化ケイ素を用いた低消費電力厳環境動作ICの研究」の研究テーマで第36回安藤博記念学術奨励賞を受賞しました。（2023年6月24日）