令和7年春の褒章において、木本恒暢教授が「炭化珪素半導体材料および電力用素子の開発」に関する功績(発明改良)により紫綬褒章を受章しました。 紫綬褒章は「学術芸術上の発明改良創作に関して事績の著しい者」が授与対象です。木本 […]
木本恒暢教授が紫綬褒章を受章

令和7年春の褒章において、木本恒暢教授が「炭化珪素半導体材料および電力用素子の開発」に関する功績(発明改良)により紫綬褒章を受章しました。 紫綬褒章は「学術芸術上の発明改良創作に関して事績の著しい者」が授与対象です。木本 […]
サンフランシスコで開催されたThe 70th International Electron Devices Meeting (IEDM2024, 12月7-11日)において、遅熙倫君(博士課程3回生)が「Unique e […]
金子光顕助教が「炭化ケイ素半導体を用いた厳環境動作可能な相補型回路の提案と動作実証」の研究テーマで第13回 エヌエフ基金研究開発奨励賞を受賞しました。(2024年11月29日)
Gメッセ群馬で開催された先進パワー半導体分科会 第11回講演会(11月24-26日)において、伊東遼馬君(修士課程1回生)が「SiC pチャネルMOSFETにおけるAlイオン注入を用いたカウンタードープの効果」の発表で研 […]
アメリカ合衆国ノースカロライナ州ローリーで開催されたInternational Conferernce On Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM2024, […]
パワーエレクトロニクス・サマースクール2024(8月26-27日)において、伊東遼馬君(修士1回生)が奨励賞および審査員特別賞(最優秀)を受賞しました。
立木馨大君(博士課程修了生、現 当研究室研究員)が Appl. Phys. Express誌にて発表した論文(“Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), ( […]
金子光顕助教がIEEE Electron Device Lett.誌にて発表した論文「“SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Oper […]
ソレント(イタリア)で開催されたInternational Conferernce On Sillicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM2023, 9/17-9/2 […]
筑波で開催された第12回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール(8月25-27日)において、利光汐音君(修士1回生)が奨励賞および審査員特別賞(最優秀)を受賞しました。