遅熙倫君(D3)がIEDM2024でIEEE EDS Japan Joint Chapter Student Awardを受賞

サンフランシスコで開催されたThe 70th International Electron Devices Meeting (IEDM2024, 12月7-11日)において、遅熙倫君(博士課程3回生)が「Unique e […]

金子光顕助教が第13回エヌエフ基金研究開発奨励賞を受賞

金子光顕助教が「炭化ケイ素半導体を用いた厳環境動作可能な相補型回路の提案と動作実証」の研究テーマで第13回エヌエフ基金研究開発奨励賞を受賞しました。（2024年11月29日）

Gメッセ群馬で開催された先進パワー半導体分科会　第11回講演会（11月24-26日）において、伊東遼馬君（修士課程1回生）が「SiC pチャネルMOSFETにおけるAlイオン注入を用いたカウンタードープの効果」の発表で研 […]

アメリカ合衆国ノースカロライナ州ローリーで開催されたInternational Conferernce On Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM2024, […]

パワーエレクトロニクス・サマースクール2024（8月26-27日）において、伊東遼馬君(修士1回生)が奨励賞および審査員特別賞（最優秀）を受賞しました。

立木馨大君(博士課程修了生、現当研究室研究員)が Appl. Phys. Express誌にて発表した論文（“Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), ( […]

金子光顕助教がIEEE Electron Device Lett.誌にて発表した論文「“SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Oper […]

ソレント(イタリア)で開催されたInternational Conferernce On Sillicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM2023, 9/17-9/2 […]

筑波で開催された第12回TIAパワーエレクトロニクス・サマースクール(8月25-27日)において、利光汐音君(修士1回生)が奨励賞および審査員特別賞（最優秀）を受賞しました。

三上杏太君(D1)が「SiC MOSFET反転層内キャリア輸送機構の解明と高温動作集積回路の実証」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。