アメリカノースカロライナ州ローリーで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024, 9月29日-1 […]

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一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 9月18日(水) 9:30 〜 11:30 [18a-P06-16]n 型SiC エピタキシャル層上へイオン注入で作製したJFET の600℃動作〇金子 […]

一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価3月23日(土) 15:00 〜 15:15 [23p-52A-8]「第45回論文奨励賞受賞記念講演」酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0 […]

イタリアソレントで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023, 9月17日-9月22日）において […]

イタリアソレントで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023, 9月17日-9月22日）において […]

一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス3月15日(水) 10:30 〜 10:45 [15a-A409-3]Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子のアナログ高抵抗化時の酸素空孔輸送特性〇宮谷 俊輝1、上沼 睦典2 […]

シンポジウム講演 ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線9月21日(水) 13:50〜14:20 [21p-M206-2]SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展〇木本 恒暢1、立木 馨大1、伊 […]

一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション3月22日(火) 13:45 〜 14:15 [22p-E302-1][第12回化合物半導体エレ […]