一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 9月18日(水) 9:30 〜 11:30 [18a-P06-16]n 型SiC エピタキシャル層上へイオン注入で作製したJFET の600℃動作〇金子 […]

一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価3月23日(土) 15:00 〜 15:15 [23p-52A-8]「第45回論文奨励賞受賞記念講演」酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0 […]

イタリアソレントで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023, 9月17日-9月22日）において […]

イタリアソレントで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023, 9月17日-9月22日）において […]

一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス3月15日(水) 10:30 〜 10:45 [15a-A409-3]Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子のアナログ高抵抗化時の酸素空孔輸送特性〇宮谷 俊輝1、上沼 睦典2 […]

シンポジウム講演 ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線9月21日(水) 13:50〜14:20 [21p-M206-2]SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展〇木本 恒暢1、立木 馨大1、伊 […]

一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション3月22日(火) 13:45 〜 14:15 [22p-E302-1][第12回化合物半導体エレ […]

一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス9月12日(日) 13:45 〜 14:00 [12p-S203-4]Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子におけるフォーミング特性の酸素組成x依存性〇(DC)宮谷 俊輝1、 […]

シンポジウム講演 パワーデバイスの最新動向と今後の展望3月16日(火) 14:15 〜 14:45 [16p-Z07-3]SiCパワーMOSFETおよび界面高品質化の進展〇木本 恒暢1、小林 拓真1,2、立木 馨大1、松 […]

一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス9月11日(金) 13:15 〜 13:30 [11p-Z07-2]Ta酸化物中の化学組成分布と抵抗変化のアナログ制御性の相関〇宮谷 俊輝1、西 佑介1、木本 恒暢1 (1.京大院 […]