一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス3月15日(水) 10:30 〜 10:45 [15a-A409-3]Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子のアナログ高抵抗化時の酸素空孔輸送特性〇宮谷 俊輝1、上沼 睦典2 […]

シンポジウム講演 ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線9月21日(水) 13:50〜14:20 [21p-M206-2]SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展〇木本 恒暢1、立木 馨大1、伊 […]

一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション3月22日(火) 13:45 〜 14:15 [22p-E302-1][第12回化合物半導体エレ […]

一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス9月12日(日) 13:45 〜 14:00 [12p-S203-4]Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子におけるフォーミング特性の酸素組成x依存性〇(DC)宮谷 俊輝1、 […]

シンポジウム講演 パワーデバイスの最新動向と今後の展望3月16日(火) 14:15 〜 14:45 [16p-Z07-3]SiCパワーMOSFETおよび界面高品質化の進展〇木本 恒暢1、小林 拓真1,2、立木 馨大1、松 […]

一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス9月11日(金) 13:15 〜 13:30 [11p-Z07-2]Ta酸化物中の化学組成分布と抵抗変化のアナログ制御性の相関〇宮谷 俊輝1、西 佑介1、木本 恒暢1 (1.京大院 […]

シンポジウム講演 パワーエレクトロニクスと薄膜・表面技術〜省エネルギー社会に向けて〜 9/19(木) 15:45-16:15 19p-B01-5 SiCパワーデバイスを支える薄膜・表面技術 〇木本 恒暢1 (1.京大工) […]

京都で開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2019, 9月29日-10月4日）において、伊藤滉二君 […]

シンポジウム講演 イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜 03/10(日) 14:30 15:00 10p-W922-3SiCへのイオン注入技術とデバイス応用〇木本 恒暢11京大工 […]

金沢で開催されるInternational Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018, 11月11日-11月16日）において、鐘ヶ江一孝君（修士課程2回生）が「H […]