シンポジウム講演
NT1社会を変えるワイドギャップ半導体の現状と将来
9月7日(木) 15:50 〜 16:20 [7p-N101-6]
脱炭素社会実現に貢献するSiC半導体の現在と将来
〇木本 恒暢1、金子 光顕1
一般講演
13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
9月9日(木) 13:30 〜 13:45 [9p-N322-1]
プラズマ窒化したSiC表面の体系的評価
〇三浦 大輝1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
9月9日(木) 13:45 〜 14:00 [9p-N322-2]
熱酸化膜/SiCにおける電流－電圧特性の解析
－ Fowler-Nordheimトンネル電流からの乖離
〇吉田 達紀1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
9月9日(木) 14:00 〜 14:15 [9p-N322-3]
キャリア散乱機構の理論解析に基づくSiCフィンFETにおける移動度向上の考察
〇利光 汐音1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
15.7 III-V族窒化物結晶
9月9日(木) 16:15 〜 16:30 [9p-N321-11]
反応性RFスパッタリングによるSiC基板上への格子整合AlBN強誘電体高品質膜の成長
〇白石 健1、三上 杏太1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大院工)
15.7 結晶評価, 不純物・結晶欠陥
9月10日(木) 13:30 〜 13:45 [10p-N322-1]
4H-SiCにおける電子および正孔の高電界ドリフト速度の温度依存性
〇藤岡 大智1、石川 諒也1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
9月10日(木) 13:45 〜 14:00 [10p-N322-2]
電子線照射SiCにおける近接したエネルギーを有するSi関連欠陥準位の検出
〇山中 孝太郎1、三上 杏太1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大院工)