本研究室のSiCデバイス（MOSFET, JFET）に関する研究成果、活動がJST newsに掲載されました。詳細は下記。・科学技術振興機構(JST)のトップページ（リンク）・JST news のPDF版（リンク）

本研究室のSiC MOSFET特性向上に関する研究成果が、「SiCパワー半導体の大幅な性能改善」というタイトルで、JSTプログラム(OPERA)の顕著な成果として紹介されました。https://www.jst.go.jp […]

金子光顕 助教、木本恒暢 教授（電子工学専攻）らのグループは、既存のSi（シリコン）半導体による集積回路では理論上動作不可能な高温環境において、SiC（シリコンカーバイド）半導体を用いることで集積回路の350℃基本動作実 […]

木本教授が半導体産業の展望について語った記事が日刊自動車新聞(10月29日)に大きく掲載されました。

SiC半導体で問題になっていた酸化膜/半導体界面欠陥を独自の手法で低減すると共に、実用上重要な結晶面（無極性面）を活用することで、SiCトランジスタ(MOSFET)の性能を6倍以上向上することに成功しました。詳細はこちら […]

京都大学オープンキャンパス用に作成された本研究室の紹介動画が公開されました。

半導体に関する国際的な業界誌であるCompound Semiconductor誌(2021年7月号)に本研究室のSiC MOS界面特性向上に関する研究成果が「20年ぶりの革新的な成果」として掲載され、巻頭の &#8220 […]

省エネの切り札として注目されているSiC半導体で長年、問題になっていたMOS界面欠陥を、環境に優しい手法で大幅に低減し、SiC MOSFETの性能を2倍に向上することに成功しました。詳細はこちら。 https://www […]

低損失パワー半導体として有望なSiCで20年来の課題であった酸化膜/SiC界面欠陥を独自の概念、手法により、従来のベストに比べて1/10に低減することに成功しました。詳しくはこちら。 http://www.kyoto-u […]

日経 xTECH(10月3日)に、本研究室がICSCRM2019で発表したp型SiC MOS界面の特性向上に関する研究成果が掲載されました。