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出版

Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes” が “Editor’s Pick” に選出

投稿日: 2022年4月27日 投稿者: StudentStaff

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Critical electric field for transition of thermionic field emission/fiel […]

日本学士院紀要の英語版(Proc. Japan Academy)に、木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文が掲載

投稿日: 2022年4月13日 投稿者: StudentStaff

木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文: “High-voltage SiC powerdevices for improved energy efficiency” が日本学士院紀要の […]

木本教授のAPEX Review論文がMost Readランキングの1位を獲得

投稿日: 2020年12月3日2020年12月9日 投稿者: StudentStaff

SiCパワーデバイスの進展と欠陥制御を解説した木本教授のAPEX Review論文(Kimoto and Watanabe, Appl. Phys. Express 13, 120101 (2020)) が、APEX誌の […]

小林君のAPEX論文がMost Readランキングの1位を獲得

投稿日: 2020年9月1日2020年9月1日 投稿者: TanakaHajime

独自の手法で酸化膜/SiC界面を10倍高品質化した小林拓真君のAPEX論文(Appl. Phys. Express 13, 091003 (2020))が、APEX誌のMost Readランキングのトップを獲得しました。

Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Estimation of the critical condition for expansion/contraction of single Shockley stacking faults in 4H-SiC PiN diodes” が “Editor’s Pick” に選出

投稿日: 2020年3月4日2020年3月4日 投稿者: TanakaHajime

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Estimation of the critical condition for expansion/contraction of single […]

Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Measurement of avalanche multiplication utilizing Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diodes with double-side-depleted shallow bevel termination” が “Editor’s Pick” に選出

投稿日: 2019年10月7日2020年3月4日 投稿者: TanakaHajime

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Measurement of avalanche multiplication utilizing Franz-Keldysh effect in GaN […]

Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in n-type GaN homoepitaxial layers grown by quartz-free hydride-vapor-phase epitaxy” が “Editor’s Pick” に選出

投稿日: 2019年7月4日2020年3月4日 投稿者: TanakaHajime

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in […]

IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文 “Normally-off 400 °C Operation of n- and p-JFETs With a Side-Gate Structure Fabricated by Ion Implantation Into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate” が “Editor’s pick” に選出

投稿日: 2019年6月2日2020年3月4日 投稿者: StudentStaff

IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文 “Normally-off 400 °C Operation of n- and p-JFETs With a Side-Gate Str […]

IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文” High-Temperature Operation of n- and p-Channel JFETs Fabricated by Ion Implantation Into a High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate “がEDLの”Editor’s pick”に選出&表紙絵を飾る

投稿日: 2018年4月25日 投稿者: StudentStaff

IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文” High-Temperature Operation of n- and p-Channel JFETs Fabricated by I […]

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice grown on 4H-SiC (11-20)”がAIP Publishingの”Editor’s pick”に選出

投稿日: 2018年1月6日 投稿者: StudentStaff

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Deep-ultraviolet light emission from 4H-AlN/4H-GaN short-period superlattice g […]

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  • 2023年春の応用物理学会での発表予定
  • 木本教授が Electronics and Electrical Engineering in Japan Leader Award 2023 を受賞
  • 石川諒弥君(D1)が第335回電気材料技術懇談会若手研究発表会で発表奨励賞を受賞
  • 柴田峻弥君(M1)が先進パワー半導体分科会第9回講演会で研究奨励賞を受賞
  • 本研究室のSiC研究成果がJST newsに掲載

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