IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文”High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces”(著者: K […]
IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文”High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces”が”Editor’s pick”に選出&表紙絵を飾る
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J. Appl. Physにて発表した論文”High electron mobility in heavily sulfur-doped 4H-SiC“(著者: Mitsuaki Kaneko, Taiga Matsuo […]
電子情報通信学会 和文論文誌Cに投稿した論文「高温環境での動作を可能にするSiC JFETを用いた相補型論理回路の研究」が月間ダウンロード数1位を記録しました。リンクはこちら。
Applied Physics Lettersにて発表した論文”Critical electric field for transition of thermionic field emission/fiel […]
木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文: “High-voltage SiC powerdevices for improved energy efficiency” が日本学士院紀要の […]
SiCパワーデバイスの進展と欠陥制御を解説した木本教授のAPEX Review論文(Kimoto and Watanabe, Appl. Phys. Express 13, 120101 (2020)) が、APEX誌の […]
独自の手法で酸化膜/SiC界面を10倍高品質化した小林拓真君のAPEX論文(Appl. Phys. Express 13, 091003 (2020))が、APEX誌のMost Readランキングのトップを獲得しました。
Applied Physics Lettersにて発表した論文”Estimation of the critical condition for expansion/contraction of single […]
Applied Physics Lettersにて発表した論文”Measurement of avalanche multiplication utilizing Franz-Keldysh effect in GaN […]
Applied Physics Lettersにて発表した論文”Deep-level transient spectroscopy studies of electron and hole traps in […]