原 征大

原 征大 (Masahiro Hara)
博士後期課程1回生 (修士博士連携コース)
趣味 ラーメン, 京都観光, 音楽鑑賞

研究テーマ

オーム性接触形成メカニズム解明に向けた金属/SiC界面に関する研究

経歴

  • 2021年4月 — 現在: 京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 博士後期課程
  • 2019年4月 — 2021年3月: 京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 修士課程
  • 2015年4月 — 2019年3月: 京都大学 工学部 電気電子工学科
  • 2015年3月: 山梨県北杜市立甲陵高等学校 卒業
  • 2021年4月 — 現在: 日本学術振興会特別研究員DC1

論文

  • M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Nearly Fermi-level-pinning-free interface in metal/heavily-doped SiC Schottky structures,” Jpn. J. Appl. Phys. 60, SBBD14 (2021).
  • M. Hara, S. Asada, T. Maeda, and T. Kimoto, “Forward thermionic field emission transport and significant image force lowering caused by high electric field at metal/heavily-doped SiC Schottky interfaces,” Appl. Phys. Express 13, 041001 (2020).

国際会議

  • M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Wide-range controllability of barrier height in heavily-doped SiC Schottky barrier diodes,” International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2021, VIRTUAL, Mar. (2021), B-17, Poster.
  • ○R. Ishikawa, M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto, “High electron mobility along the c-axis in 4H-SiC,” 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials, VIRTUAL, Sep. (2020), Oral, D-4-02.
  • M. Hara, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Accurate Determination of Barrier Heights in Heavily-Doped SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated with Various Metals,” 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials, VIRTUAL, Sep. (2020), Oral, D-4-01.
  • M. Hara, S. Asada, T. Maeda, and T. Kimoto, “Reverse Field Emission Current in Heavily-Doped SiC Schottky Barrier Diodes,” International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2020, Kyoto, Japan, Mar. (2020), Poster, P-36.
  • M. Hara, S. Asada, T. Maeda, and T. Kimoto, “Significant Image Force Lowering at Metal/Heavily-Doped SiC Interfaces,” The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Okinawa, Japan, Nov. (2019), Oral, ED3-4.
  • M. Hara, S. Asada, T. Maeda, and T. Kimoto, “Forward Thermionic Field Emission Current and Barrier Height Lowering in Heavily-Doped 4H-SiC Schottky Barrier Diodes,” International Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2019, Kyoto, Japan, Sep.-Oct. (2019), Oral, We-3A-02.

国内会議

  • ○石川 諒弥, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢, “4H-SiCにおけるc軸方向の電子移動度の測定と解析,” 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第7回講演会, オンライン, 12月 (2020), ポスター発表, IA-06.
  • ○石川 諒弥, 原 征大, 金子 光顕, 木本 恒暢, “4H-SiCにおけるc軸方向の電子移動度の評価,” 第81回 応用物理学会 秋季学術講演会, オンライン, 9月 (2020), 口頭発表, 11a-Z23-3.
  • 原 征大, 浅田 聡志, 前田 拓也, 木本 恒暢, “低濃度および高濃度ドープn型SiCショットキー障壁ダイオードにおける障壁高さとキャリア輸送機構の解析,” 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第6回講演会, 広島県, 12月 (2019), ポスター発表, IIB-16.
  • 原 征大, 浅田 聡志, 前田 拓也, 木本 恒暢, “高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流および逆方向電界放出電流の発現,” 第80回 応用物理学会 秋季学術講演会, 北海道, 9月 (2019), 口頭発表, 20p-E311-6. [講演奨励賞受賞記念講演(招待講演)]
  • 原 征大, 浅田 聡志, 前田 拓也, 木本 恒暢, “高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価,” 第66回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京都, 3月 (2019), 口頭発表, 11a-70A-1. [応用物理学会講演奨励賞 受賞]

受賞歴等

  • 2020年9月: 公益財団法人 吉田育英会 ドクター21(2020/2021年度) 奨学生に採用
  • 2019年9月: 第46回(2019年春季)応用物理学会講演奨励賞 受賞
  • 2019年8月: つくばイノベーションアリーナ(TIA)主催 第8回パワーエレクトロニクスサマースクール 奨励賞 受賞 (若手研究者173名中4名).
  • 2019年6月: 吉田卒業研究・論文賞 受賞 (京都大学工学部全専攻の2018年度卒業生約1,000名中16名(各専攻1名)).