サンフランシスコで開催されたThe 70th International Electron Devices Meeting (IEDM2024, 12月7-11日)において、遅熙倫君(博士課程3回生)が「Unique electron trapping and its impacts on electron mobility in SiC n-channel MOSFETs」の発表に対し、IEEE EDS Japan Joint Chapter Student Award (IEDM)を受賞しました。