シンポジウム講演

13 T25 極限環境デバイス

3月15日(土) 15:15 ～ 15:45 [15p-Y1311-4]
SiC相補型JFETの350℃動作実証および性能向上に向けた基礎研究
〇金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

一般講演

13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

3月16日(日) 10:00 〜 10:15 [16a-K301-5]
界面欠陥の物理的理解に基づくSiC MOSFETのモデリング
〇遅 熙倫¹、伊藤 滉二¹、須藤 建瑠²、島 明生²、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.日立製作所)

3月16日(日) 10:30 〜 10:45 [16a-K301-7]
コンダクタンス法による価電子帯端近傍のSiC/SiO₂界面準位評価
〇三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京都大学)

15.6 Ⅳ族系化合物 (SiC)

3月14日(金) 13:45 〜 14:00 [14p-K402-3]
深い準位の評価を目的とした過渡容量解析におけるベイズ推定の適用
〇(B)山中 孝太郎¹、木本 恒暢¹、金子 光顕¹