アメリカ合衆国ノースカロライナ州ローリーで開催されたInternational Conferernce On Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM2024, 9/29-10/4)において、三上杏太君(博士課程2回生)が「Doping-dependent fixed charges in SiC MOSFETs」の発表に対しThe John Palmour Best Student Paper Awardを受賞しました。