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作者別: StudentStaff

本研究室のSiC研究成果がJSTホームページ等で紹介

投稿日: 2022年5月24日 投稿者: StudentStaff

本研究室のSiC MOSFET特性向上に関する研究成果が、「SiCパワー半導体の大幅な性能改善」というタイトルで、JSTプログラム(OPERA)の顕著な成果として紹介されました。詳細はこちら。

伊藤滉二君(D3)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定

投稿日: 2022年5月16日 投稿者: StudentStaff

青山学院大学/オンラインで開催された2022年春季応用物理学会学術講演会 (3/22–3/26) における、「様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性」の発表に対し、伊藤滉 […]

Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes” が “Editor’s Pick” に選出

投稿日: 2022年4月27日 投稿者: StudentStaff

Applied Physics Lettersにて発表した論文”Critical electric field for transition of thermionic field emission/fiel […]

日本学士院紀要の英語版(Proc. Japan Academy)に、木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文が掲載

投稿日: 2022年4月13日 投稿者: StudentStaff

木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文: “High-voltage SiC powerdevices for improved energy efficiency” が日本学士院紀要の […]

低消費電力集積回路の350℃基本動作実証

投稿日: 2022年3月31日2022年4月5日 投稿者: StudentStaff

金子光顕 助教、木本恒暢 教授(電子工学専攻)らのグループは、既存のSi(シリコン)半導体による集積回路では理論上動作不可能な高温環境において、SiC(シリコンカーバイド)半導体を用いることで集積回路の350℃基本動作実 […]

2022年春の応用物理学会での発表予定

投稿日: 2022年2月28日 投稿者: StudentStaff

一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物(SiC)のコードシェアセッション3月22日(火) 13:45 〜 14:15 [22p-E302-1][第12回化合物半導体エレ […]

木本教授の化合物半導体エレクトロニクス業績賞受賞が決定

投稿日: 2022年2月2日 投稿者: StudentStaff

木本恒暢教授が「炭化珪素(SiC)パワー半導体の先駆的研究と基盤技術の構築」という研究業績で、化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤﨑勇賞)(応用物理学会)を受賞することが決定しました(2月1日)。詳細はこちら

原征大君(D1)が第330回電気材料技術懇談会若手研究発表会で発表奨励賞を受賞

投稿日: 2022年1月18日 投稿者: StudentStaff

オンラインで開催された第330回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、原征大君(博士課程1回生)が「高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける障壁高さの解析」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。

松岡大雅君(M1)が先進パワー半導体分科会第8回講演会で研究奨励賞を受賞

投稿日: 2021年12月10日2021年12月11日 投稿者: StudentStaff

オンラインで開催された先進パワー半導体分科会 第8回講演会(12月9-10日)において、松岡大雅君(修士課程1回生)が「Sイオン注入n型SiC層の形成およびSドナーのイオン化エネルギー評価」の発表で研究奨励賞を受賞しまし […]

石川諒弥君(M2)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定

投稿日: 2021年11月19日2021年11月21日 投稿者: StudentStaff

オンラインで開催された2021年秋季応用物理学会学術講演会 (9/10-9/13) において、石川諒弥君(修士課程2回生)の「4H-SiCにおける電子移動度の異方性」の発表に対し講演奨励賞の受賞が内定しました。

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