遅熙倫君(D3)がIEDM2024でIEEE EDS Japan Joint Chapter Student Awardを受賞

サンフランシスコで開催されたThe 70th International Electron Devices Meeting (IEDM2024, 12月7-11日)において、遅熙倫君(博士課程3回生)が「Unique e […]

遅熙倫君(D3)がIEDM2024で発表

アメリカ合衆国サンフランシスコで開催された70th IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM 2024, 12/7-12/11)において、遅熙倫(Xilun Chi)君(博士課程 […]

Gメッセ群馬で開催された先進パワー半導体分科会　第11回講演会（11月24-26日）において、伊東遼馬君（修士課程1回生）が「SiC pチャネルMOSFETにおけるAlイオン注入を用いたカウンタードープの効果」の発表で研 […]

アメリカ合衆国ノースカロライナ州ローリーで開催されたInternational Conferernce On Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM2024, […]

SiCパワー半導体の黎明期とSiCパワーデバイス発明を紹介する木本教授の記事が、Nature Electronics誌のReverse Engineeringコラムに掲載されました（9月30日付）。掲載記事はこちら。 N […]

アメリカノースカロライナ州ローリーで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024, 9月29日-1 […]

アメリカノースカロライナ州ローリーで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024, 9月29日-1 […]

パワーエレクトロニクス・サマースクール2024（8月26-27日）において、伊東遼馬君(修士1回生)が奨励賞および審査員特別賞（最優秀）を受賞しました。

一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価 9月18日(水) 9:30 〜 11:30 [18a-P06-16]n 型SiC エピタキシャル層上へイオン注入で作製したJFET の600℃動作〇金子 […]

高校生向けの「夢ナビ」に、木本教授のミニ講義の動画が掲載、公開されました。講義動画はこちら。