本研究室のSiC MOSFET特性向上に関する研究成果が、「SiCパワー半導体の大幅な性能改善」というタイトルで、JSTプログラム(OPERA)の顕著な成果として紹介されました。詳細はこちら。
作者別: StudentStaff
伊藤滉二君(D3)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定
青山学院大学/オンラインで開催された2022年春季応用物理学会学術講演会 (3/22–3/26) における、「様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性」の発表に対し、伊藤滉 […]
Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes” が “Editor’s Pick” に選出
Applied Physics Lettersにて発表した論文”Critical electric field for transition of thermionic field emission/fiel […]
日本学士院紀要の英語版(Proc. Japan Academy)に、木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文が掲載
木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文: “High-voltage SiC powerdevices for improved energy efficiency” が日本学士院紀要の […]
低消費電力集積回路の350℃基本動作実証
金子光顕 助教、木本恒暢 教授（電子工学専攻）らのグループは、既存のSi（シリコン）半導体による集積回路では理論上動作不可能な高温環境において、SiC（シリコンカーバイド）半導体を用いることで集積回路の350℃基本動作実 […]
2022年春の応用物理学会での発表予定
一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション3月22日(火) 13:45 〜 14:15 [22p-E302-1][第12回化合物半導体エレ […]
木本教授の化合物半導体エレクトロニクス業績賞受賞が決定
木本恒暢教授が「炭化珪素(SiC)パワー半導体の先駆的研究と基盤技術の構築」という研究業績で、化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）（応用物理学会）を受賞することが決定しました（2月1日）。詳細はこちら
原征大君(D1)が第330回電気材料技術懇談会若手研究発表会で発表奨励賞を受賞
オンラインで開催された第330回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、原征大君(博士課程1回生)が「高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける障壁高さの解析」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。
松岡大雅君(M1)が先進パワー半導体分科会第8回講演会で研究奨励賞を受賞
オンラインで開催された先進パワー半導体分科会 第8回講演会（12月9-10日）において、松岡大雅君（修士課程1回生）が「Sイオン注入n型SiC層の形成およびSドナーのイオン化エネルギー評価」の発表で研究奨励賞を受賞しまし […]
石川諒弥君(M2)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定
オンラインで開催された2021年秋季応用物理学会学術講演会 (9/10-9/13) において、石川諒弥君（修士課程2回生）の「4H-SiCにおける電子移動度の異方性」の発表に対し講演奨励賞の受賞が内定しました。