本研究室のSiCデバイス（MOSFET, JFET）に関する研究成果、活動がJST newsに掲載されました。詳細は下記。・科学技術振興機構(JST)のトップページ（リンク）・JST news のPDF版（リンク）
作者別: StudentStaff
藤井開君(M2)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が決定
東北大学/オンラインで開催された2022年秋季応用物理学会学術講演会 (9/20–9/23) における、「熱酸化SiO2/SiC界面近傍に形成されるSiC中の深い準位」の発表に対し、藤井開君（修士課程2回生)の講演奨励賞 […]
立木馨大君（PD）がThe 22nd IEEE EDS Kansai Chapter of the year Awardを受賞
立木馨大君（博士研究員）がIEEE Trans. on Electron Devices誌にて発表した論文「”Improvement of Both n- and p-Channel Mobilities i […]
2022年秋の応用物理学会での発表予定
シンポジウム講演 ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線9月21日(水) 13:50〜14:20 [21p-M206-2]SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展〇木本 恒暢1、立木 馨大1、伊 […]
木本教授が衞籐細矢記念賞を受賞
木本恒暢教授が「低損失SiCパワー半導体の先駆的研究と基盤技術確立」という研究業績で、衞籐細矢記念賞を受賞しました（7月8日）。http://futaba-zaidan.org/
本研究室のSiC研究成果がJSTホームページ等で紹介
本研究室のSiC MOSFET特性向上に関する研究成果が、「SiCパワー半導体の大幅な性能改善」というタイトルで、JSTプログラム(OPERA)の顕著な成果として紹介されました。https://www.jst.go.jp […]
伊藤滉二君(D3)の応用物理学会講演奨励賞の受賞が内定
青山学院大学/オンラインで開催された2022年春季応用物理学会学術講演会 (3/22–3/26) における、「様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性」の発表に対し、伊藤滉 […]
Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Critical electric field for transition of thermionic field emission/field emission transport in heavily doped SiC Schottky barrier diodes” が “Editor’s Pick” に選出
Applied Physics Lettersにて発表した論文”Critical electric field for transition of thermionic field emission/fiel […]
日本学士院紀要の英語版(Proc. Japan Academy)に、木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文が掲載
木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文: “High-voltage SiC powerdevices for improved energy efficiency” が日本学士院紀要の […]
低消費電力集積回路の350℃基本動作実証
金子光顕 助教、木本恒暢 教授（電子工学専攻）らのグループは、既存のSi（シリコン）半導体による集積回路では理論上動作不可能な高温環境において、SiC（シリコンカーバイド）半導体を用いることで集積回路の350℃基本動作実 […]