新歓コンパを開催しました

4月から新たに配属された新入生を歓迎するため、新歓コンパを開催しました。

2025年春の応用物理学会での発表

シンポジウム講演 13 T25 極限環境デバイス 3月15日(土) 15:15 ～ 15:45 [15p-Y1311-4]SiC相補型JFETの350℃動作実証および性能向上に向けた基礎研究〇金子光顕1、木本恒暢1 […]

サンフランシスコで開催されたThe 70th International Electron Devices Meeting (IEDM2024, 12月7-11日)において、遅熙倫君(博士課程3回生)が「Unique e […]

アメリカ合衆国サンフランシスコで開催された70th IEEE Int. Electron Devices Meeting (IEDM 2024, 12/7-12/11)において、遅熙倫(Xilun Chi)君(博士課程 […]

Gメッセ群馬で開催された先進パワー半導体分科会　第11回講演会（11月24-26日）において、伊東遼馬君（修士課程1回生）が「SiC pチャネルMOSFETにおけるAlイオン注入を用いたカウンタードープの効果」の発表で研 […]

アメリカ合衆国ノースカロライナ州ローリーで開催されたInternational Conferernce On Silicon Carbide and Related Materials 2024 (ICSCRM2024, […]

SiCパワー半導体の黎明期とSiCパワーデバイス発明を紹介する木本教授の記事が、Nature Electronics誌のReverse Engineeringコラムに掲載されました（9月30日付）。掲載記事はこちら。 N […]

アメリカノースカロライナ州ローリーで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024, 9月29日-1 […]

アメリカノースカロライナ州ローリーで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024, 9月29日-1 […]

パワーエレクトロニクス・サマースクール2024（8月26-27日）において、伊東遼馬君(修士1回生)が奨励賞および審査員特別賞（最優秀）を受賞しました。