忘年会を開催しました！

木本研、2025年を締めくくる忘年会を開催しました！今年も1年お疲れ様でした。学部4回生、修士2回生は卒論・修論執筆の息抜きになったのではないでしょうか。1次会、2次会を経て、お酒もまわり大変盛り上がりました！また来年 […]

2025年度先進パワー半導体分科会に参加

招待講演SiCデバイス 11月20日(木) 10:00 〜 10:30 [IV-2]厳環境で動作可能なSiC相補型JFET集積回路の性能向上に向けた基礎研究〇金子光顕1、三上杏太1、木本恒暢1 (1.京大 […]

4回生の卒論に向けた実験スタートを応援する後期頑張ろうコンパ、遅さんのご卒業をお祝いするコンパ、社会人博士として入学された末松さんを歓迎するコンパを開催しました。 4回生の方へたくさんの装置の扱いを覚えていくと思います。 […]

遅熙倫君(D3)が “Unique electron trapping and its impacts on electron mobility in SiC n-channel MOSFETs&#8221 […]

木本恒暢教授のSiCパワー半導体の進展に関するインタビュー記事がEETimesに掲載されました。詳細はこちら。https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2509/29/news0 […]

木本恒暢教授が、1993年に開催された国際会議SSDM(International Conference on Solid State Devices and Materials)の論文”SiC Schott […]

ICSCRM2025に参加しました！研究室からは8件（内7件口頭発表）筆頭著者として講演を行いました！

シンポジウム講演 NT1社会を変えるワイドギャップ半導体の現状と将来 9月7日(木) 15:50 〜 16:20 [7p-N101-6]脱炭素社会実現に貢献するSiC半導体の現在と将来〇木本恒暢1、金子光顕1 一般講 […]

金子光顕先生が「First-order SPICE modeling of SiC p- and n-channel side-gate JFETs toward high-temperature complementa […]

第17回ナノ構造エピタキシャル成長講演会（7月17-19日）において、白石健君（修士課程2回生）が「SiC上AlBN強誘電体膜の成長と評価」の発表で発表奨励賞を受賞しました。