SiCエピタキシャル成長装置「Probus-SiC(東京エレクトロン社製)」が、半導体・オブ・ザ・イヤー2011の半導体製造装置部門で、グランプリを受賞 投稿日: 2011年7月14日 投稿者: kimoto 2011/7/14 当研究室、東京エレクトロン、ロームの共同研究の成果であるSiCエピタキシャル成長装置「Probus-SiC(東京エレクトロン社製)」が、半導体・オブ・ザ・イヤー2011の半導体製造装置部門で、グランプリを受賞いたしました。