木本教授が応用物理学会論文賞(解説論文賞)を受賞

投稿日: 2016年10月6日投稿者: kimoto

木本教授が執筆したSiCパワー半導体に関するレビュー論文(“Material science and device physics in SiC technology for high-voltage pow […]

平松佳奈さん(M1)がTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2016で奨励賞を受賞

投稿日: 2016年9月8日投稿者: kimoto

筑波で開催されたTIAパワーエレクトロニクス・サマースクール2016(8月26-29日)において、平松佳奈さん(修士1回生)が奨励賞を受賞しました。

投稿日: 2016年7月25日投稿者: kimoto

浅田聡志君（D1)が「SiCバイポーラトランジスタの高性能化に関する研究」に対して工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞しました。

投稿日: 2016年5月25日投稿者: kimoto

木本教授のSiC半導体に関するレビュー論文: “Material science and device physics in SiC technology for high-voltage power dev […]

投稿日: 2016年5月25日投稿者: kimoto

前田拓也君(M1)が第8回窒化物半導体結晶成長講演会における「ホモエピタキシャル成長n型GaN縦型ショットキーバリアダイオードに表面から光照射したときの光電流」の発表で発表奨励賞を受賞しました。

投稿日: 2016年3月30日2016年11月22日投稿者: kimoto

前田拓也君(4回生)が電子情報通信学会・電子デバイス研究会で発表した「ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性」に対して、論文発表奨励賞を受賞しました。

投稿日: 2016年3月30日投稿者: kimoto

山田恭輔君(修士課程2回生)が超高耐圧SiC PiNダイオードの性能限界に関する研究で、電気材料技術懇談会の発表奨励賞を受賞しました(1月22日)。

投稿日: 2016年2月5日投稿者: kimoto

木本教授が日本経済新聞(2月3日朝刊)の「アカデミック人材」で、「未踏の材料を実現した2グループ」の一つとして紹介されました。窒化ガリウムを開拓した赤崎先生、天野先生と共に、炭化珪素を開拓した松波名誉教授、木本教授の足跡 […]

投稿日: 2015年12月17日投稿者: kimoto

田中一君（D1)が第15回IEEE関西コロキアム電子デバイスワークショップでの発表「Phonon-limited Electron Mobility in Rectangular Cross-sectional Ge N […]

投稿日: 2015年11月11日投稿者: kimoto

小林拓真君(D1)が応用物理学会・先進パワー半導体分科会第2回講演会における「高濃度p型ボディ層を有するSiC MOSFETにおける移動度劣化要因の検討」の発表で研究奨励賞を受賞しました(11月10日)。