招待講演SiCデバイス

11月20日(木) 10:00 〜 10:30 [IV-2]
厳環境で動作可能なSiC相補型JFET集積回路の性能向上に向けた基礎研究
〇金子 光顕¹、三上 杏太¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

奨励賞受賞記念講演

11月20日(木) 11:35 〜 10:55 [IV-2]
SiC p チャネル MOSFET および CMOS 素子に与えるカウンタードープの効果
〇伊東 遼馬¹、井上 瑛¹、三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

ポスター発表

11月19日(木) 14:45 〜 16:00 [IA-3]
4H-SiC フィン FET における高移動度の原因解明に向けたキャリア散乱機構の理論的解析
〇利光 汐音¹、三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

11月19日(木) 14:45 〜 16:00 [IA-19]
酸化膜中の電子有効質量に着目した熱酸化膜/SiC 構造におけるトンネル電流のモデリング
〇吉田 達紀¹、三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

11月19日(木) 14:45 〜 16:00 [IA-22]
ベイズ推定に基づく過渡容量解析による電子線照射 SiC 中のエネルギー的に近接した欠陥準位の
評価
〇山中 孝太郎¹、三上 杏太¹、木本 恒暢¹ 、金子 光顕¹ (1.京大院工)

11月19日(木) 16:00 〜 17:15 [IB-17]
同一窒化処理条件による伝導帯端・価電子帯端近傍の SiC/SiO2界面準位低減
〇平岩 修弥¹、三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

11月20日(木) 13:45 〜 15:00 [IIA-12]
窒化 SiC/SiO2界面における価電子帯端近傍の小さな表面ポテンシャルゆらぎ
〇三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

11月20日(木) 15:00 〜 16:15 [IIB-3]
プラズマ窒化が SiC 表面に与える影響
〇三浦 大輝¹、三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

11月20日(木) 15:00 〜 16:15 [IIB-3]
バナジウムドープ半絶縁性 SiC 基板への Al イオン注入による p 型層の形成
〇金子 光顕¹、足立 博哉¹、三上 杏太¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)