日経エレクトロニクスのNE Selectionに須田准教授がワイドギャップ半導体の解説連載を執筆。

• パワー半導体(第1回)Siを超えるSiCとGaNの性能 なぜパワー素子に向いているのか – 日経エレクトロニクス (1103), 90-95, 2013-03-04
• パワー半導体(第2回)実用化が進むSiCパワー素子 エアコンや鉄道車両、産業機器に – 日経エレクトロニクス (1105), 84-91, 2013-04-01
• パワー半導体(第3回)GaNパワー素子の開発が活発に ノーマリー・オフ動作にも道筋 – 日経エレクトロニクス (1109), 96-100, 2013-05-27
• パワー半導体(第4回)電力インフラを目指すSiC バイポーラ素子で耐圧10kV超 – 日経エレクトロニクス (1111), 88-93, 2013-06-24