田中一君（D2）が先進パワー半導体分科会 第3回講演会で研究奨励賞を受賞 投稿日: 2016年11月22日2016年11月24日 投稿者: KanekoMitsuaki つくば国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会 第3回講演会（11月8-9日）において、田中一君（博士課程2回生）が「p型4H-SiCにおけるHall散乱因子・正孔密度・正孔移動度の理論的検討」の発表で研究奨励賞を受 […]