令和7年春の褒章において、木本恒暢教授が「炭化珪素半導体材料および電力用素子の開発」に関する功績（発明改良）により紫綬褒章を受章しました。 紫綬褒章は「学術芸術上の発明改良創作に関して事績の著しい者」が授与対象です。木本 […]
作者別: KanekoMitsuaki
APL Electronic Devicesにて発表した論文 “First-order SPICE modeling of SiC p- and n-channel side-gate JFETs toward high-temperature complementary JFET ICs” が “Editor’s Pick” に選出
APL Electronic Devicesにて発表した論文 “First-order SPICE modeling of SiC p- and n-channel side-gate JFETs toward high […]
三上杏太先生が本研究室助教に着任
2025年4月1日より三上杏太先生が本研究室の助教に着任しました。
金子光顕助教が第13回 エヌエフ基金研究開発奨励賞を受賞
金子光顕助教が「炭化ケイ素半導体を用いた厳環境動作可能な相補型回路の提案と動作実証」の研究テーマで第13回 エヌエフ基金研究開発奨励賞を受賞しました。（2024年11月29日）
ICSCRM2024@Raleighに参加
ICSCRM2024に参加しました！研究室からは6件（内2件招待講演）筆頭著者として講演を行いました！
2024年秋の応用物理学会に参加
2024年秋の応用物理学会に参加しました。
IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文”High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces”が”Editor’s pick”に選出&表紙絵を飾る
IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文”High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces”（著者: K […]
J. Appl. Physにて発表した論文”High electron mobility in heavily sulfur-doped 4H-SiC“が”Editor’s pick”に選出&表紙絵を飾る
J. Appl. Physにて発表した論文”High electron mobility in heavily sulfur-doped 4H-SiC“（著者: Mitsuaki Kaneko, Taiga Matsuo […]
電子情報通信学会 和文論文誌Cに投稿した論文が月間ダウンロード数1位に
電子情報通信学会 和文論文誌Cに投稿した論文「高温環境での動作を可能にするSiC JFETを用いた相補型論理回路の研究」が月間ダウンロード数1位を記録しました。リンクはこちら。
木本恒暢先生御還暦祝賀会を開催
2024年1月6日に木本恒暢先生御還暦祝賀会をホテルグランヴィア京都で開催いたしました。当日は遠方から多くの卒業生の方にご参加いただきました。ありがとうございました。