IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文”High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces”が”Editor’s pick”に選出&表紙絵を飾る

IEEE Electron Device Lett.にて発表した論文”High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces”（著者: K […]

J. Appl. Physにて発表した論文”High electron mobility in heavily sulfur-doped 4H-SiC“が”Editor’s pick”に選出&表紙絵を飾る

J. Appl. Physにて発表した論文”High electron mobility in heavily sulfur-doped 4H-SiC“（著者: Mitsuaki Kaneko, Taiga Matsuo […]

電子情報通信学会　和文論文誌Cに投稿した論文「高温環境での動作を可能にするSiC JFETを用いた相補型論理回路の研究」が月間ダウンロード数1位を記録しました。リンクはこちら。

2024年1月6日に木本恒暢先生御還暦祝賀会をホテルグランヴィア京都で開催いたしました。当日は遠方から多くの卒業生の方にご参加いただきました。ありがとうございました。

サムコ科学技術振興財団の2021年度第5回薄膜技術に関する研究助成に採択され、京都新聞、日刊工業新聞で紹介されました。

投稿日: 2019年4月1日投稿者: KanekoMitsuaki

2019年4月1日より田中一さんが大学院横断教育プログラム推進センターの特定助教に着任しました。

日経xTECH Specialに木本教授とローム株式会社伊野和英氏との対談記事が掲載されました。リンクはコチラです。

長浜ロイヤルホテルで開催された第36回電子材料シンポジウム(EMS)において、前田拓也君（修士課程2回生）が「逆バイアス電圧印加GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光電流の温度依存 […]

2017年10月28日に木本研11周年&須田研究室発足記念会をホテル日航プリンセス京都で開催いたしました。当日は遠方から多くの卒業生の方にご参加いただけました。ありがとうございました。

投稿日: 2017年10月2日投稿者: KanekoMitsuaki

マサチューセッツ工科大学（MIT）Palacios研究室所属の奥村先生を訪問しました。奥村先生は2011年度に当研究室で博士課程を修了しました。Palacios研究室のHPはコチラです。