日本学士院紀要の英語版(Proc. Japan Academy)に、木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文が掲載

投稿日: 2022年4月13日投稿者: StudentStaff

木本教授のSiCパワー半導体に関するレビュー論文: “High-voltage SiC powerdevices for improved energy efficiency” が日本学士院紀要の […]

低消費電力集積回路の350℃基本動作実証

金子光顕助教、木本恒暢教授（電子工学専攻）らのグループは、既存のSi（シリコン）半導体による集積回路では理論上動作不可能な高温環境において、SiC（シリコンカーバイド）半導体を用いることで集積回路の350℃基本動作実 […]

投稿日: 2022年2月28日投稿者: StudentStaff

一般講演 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション3月22日(火) 13:45 〜 14:15 [22p-E302-1][第12回化合物半導体エレ […]

木本恒暢教授が「炭化珪素(SiC)パワー半導体の先駆的研究と基盤技術の構築」という研究業績で、化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）（応用物理学会）を受賞することが決定しました（2月1日）。https://www […]

投稿日: 2022年1月18日投稿者: StudentStaff

オンラインで開催された第330回電気材料技術懇談会若手研究発表会において、原征大君(博士課程1回生)が「高濃度ドープSiCショットキー障壁ダイオードにおける障壁高さの解析」の発表に対し、発表奨励賞を受賞しました。

オンラインで開催された先進パワー半導体分科会　第8回講演会（12月9-10日）において、松岡大雅君（修士課程1回生）が「Sイオン注入n型SiC層の形成およびSドナーのイオン化エネルギー評価」の発表で研究奨励賞を受賞しまし […]

オンラインで開催された2021年秋季応用物理学会学術講演会 (9/10-9/13) において、石川諒弥君（修士課程2回生）の「4H-SiCにおける電子移動度の異方性」の発表に対し講演奨励賞の受賞が内定しました。

投稿日: 2021年11月15日投稿者: StudentStaff

木本教授が半導体産業の展望について語った記事が日刊自動車新聞(10月29日)に大きく掲載されました。

オンライン開催された4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems 2021 (MEMRISYS 2021, 11/ […]

トゥール(フランス)/オンラインでハイブリッド開催された13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021 (ECSCR […]