三上杏太

三上 杏太　(Kyota Mikami)
博士後期課程2回生　(修士博士連携コース)

研究テーマ

高温動作集積回路実現に向けたSiC MOSFETの基礎研究

経歴

  • 2023年4月 — 現在 :　京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 博士後期課程
  • 2021年4月 — 2023年3月：　京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 博士前期課程
  • 2018年4月 — 2021年3月：　京都大学 工学部 電気電子工学科
  • 2013年4月 — 2018年3月：　国立明石工業高等専門学校 電気情報工学科

論文

  1. K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “High-Mobility 4H-SiC p-Channel MOSFETs on Nonpolar Faces,” IEEE Electron Device Lett. 45, 1113 (2024). [Editor’s Pick & Featured as the cover]
  2. K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Insight Into Mobility Improvement by the Oxidation-Minimizing Process in SiC MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices 71, 931 (2024).
  3. X. Chi, K. Tachiki, K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs,” Jpn. J. Appl. Phys. 62, 110906 (2023).
  4. K. Tachiki, K. Mikami, K. Ito, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), (1120), and (1100) MOSFETs via an oxidation-minimizing process,” Appl. Phys. Express 15, 071001 (2022). [Spotlights 2022]
  5. K. Mikami, K. Tachiki, K. Ito, and T. Kimoto, “Body doping dependence of field-effect mobility in both n- and p-channel 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with nitrided gate oxides,” Appl. Phys. Express 15, 036503 (2022).

国際会議録

  1. T. Kimoto, M. Kaneko, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, H. Fujii, A. Inoue, and N. Maeda, “An Overview of SiC High-Voltage Power Devices and High-Temperature ICs,” Proc. of 2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (Fort Lauderdale, USA, 2024), pp. 88-94.

国際会議発表

  1. 〇T. Kimoto, M. Kaneko, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, H. Fujii, A. Inoue, R. Ito, and N. Maeda, “SiC High-Voltage Power Devices and High-Temperature ICs,” 2024 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium, Fort Lauderdale, USA (Oct., 2024), 3a.1. [Invited]
  2. 〇T. Kimoto, R. Ishikawa, X. Chi, K. Mikami, K. Tachiki, and M. Kaneko, “Impacts of Anisotropic Material Properties on Performance of SiC Power Devices,” Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science 2024, Honolulu, USA (Oct., 2024), Oral, G03-2294. [Invited]
  3. R. Ito, A. Inoue, K. Mikami, 〇M. Kaneko, and T. Kimoto, “Effect of counter-doping on threshold voltage and mobility in SiC p-channel MOSFETs,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024, Raleigh, USA (Sep., 2024), Oral, 19B-6.
  4. 〇K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Doping-dependent fixed charges in SiC MOSFETs,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024, Raleigh, USA (Sep., 2024), Oral, 8B-1. [Invited & The John Palmour Best Student Paper Award]
  5. 〇M. Kaneko, K. Tachiki, K. Mikami, H. Fujii, and T. Kimoto, “Mobility enhancement in SiC n- and p-channel MOSFETs” (invited), International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024, Raleigh, USA (Sep., 2024), Oral, 7B-1. [Invited]
  6. 〇K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Anisotropy of mobility in SiC p-channel MOSFETs on nonpolar faces,” International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2024, Kyoto, Japan (Mar., 2024), Poster, P-45.
  7. 〇T. Kimoto, K. Tachiki, K. Mikami, X. Chi, and M. Kaneko, “Physics and Performance Improvement of SiC MOSFETs,” 2023 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology, Kanazawa, Japan (Oct., 2023), Oral, S1-1. [Invited]
  8. 〇S. Toshimitsu, K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto, “SiC n-channel MOSFETs fabricated on a high-purity semi-insulating substrate,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, Sorrento, Italy (Sep., 2023), Oral, Devices 5-3.
  9. ○K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “High-mobility SiC p-channel MOSFETs on nonpolar faces,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, Sorrento, Italy (Sep., 2023), Oral, MOS II-1.
  10. ○X. Chi, K. Tachiki, K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, Sorrento, Italy (Sep., 2023), Oral, MOS I-2.
  11. ○T. Kimoto, K. Tachiki, K. Mikami, and M. Kaneko, “Progress of SiC MOSFETs and JFETs beyond Power Applications,” IME Workshop on Wide Bandgap Semiconductors 2023, Singapore (Jul., 2023), Oral, I. [Invited]
  12. ○K. Mikami and T. Kimoto, “Fundamental study on SiC p-channel MOSFETs”, Mini-Conference on Next Generation Materials for Ultra Performance Microwave and Power Switching Applications, Online, May (2023).
  13. ○S. Muraki, K. Mikami, K. Tachiki, and T. Kimoto, “Characteristics of SiC MOSFETs Utilizing Oxidation-Suppressed Process with Various Hydrogen Treatment Time,” International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2023, Kyoto, Japan (Mar., 2023), Poster, P-74.
  14. ○X. Chi, K. Tachiki, K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Subthreshold Characteristics of 4H-SiC n- and p-channel MOSFETs at Low Temperature,” International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2023, Kyoto, Japan (Mar., 2023), Poster, P-18.
  15. ○K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto, “High-mobility SiC MOSFETs on nonpolar faces utilizing the oxidation-minimizing process,” International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2023, Kyoto, Japan (Mar., 2023), Poster, P-38.
  16. ○T. Kimoto, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, and M. Kaneko, “Progress and Future Challenges in SiC MOSFETs,” 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Taoyuan, Taiwan/Virtual (Nov., 2022), Oral, OTD-21. [Invited]
  17. ○K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto, “High-quality MOS interface on 4H-SiC(1120) formed by the oxidation-minimizing process,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022, Davos, Switzerland (Sep., 2022), Oral, Mo-4-B.4.
  18. ○T. Kimoto, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, M. Kaneko, M. Horita, and J. Suda, “High Mobility in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies,” 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hiroshima, Japan (Aug., 2022), Oral, 2-2. [Invited]
  19. ○K. Mikami, K. Tachiki, K. Ito, and T. Kimoto, “Body doping dependence of channel mobility in both n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs,” International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2022, Kyoto, Japan (Mar., 2022), Poster, P-69.
  20. ○K. Mikami, K. Ito, K. Tachiki, and T. Kimoto, “Channel mobility of NO- and N2-annealed 4H-SiC(0001) p-channel MOSFETs with various donor concentrations of n-body,” European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021, Tours, France/Virtual (Oct., 2021), Oral, Tu-1B-01.

国内会議

  1. 〇三上 杏太, 金子 光顕, 木本 恒暢, “SiC MOS構造中に生成されるボディ層濃度に依存した固定電荷”, 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 新潟県 (9月, 2024), 口頭発表, 19p-C41-17.
  2. 〇伊東 遼馬, 井上 瑛, 三上 杏太, 金子 光顕, 木本 恒暢, “SiC pチャネルMOSFETのしきい値電圧と移動度に与えるカウンタードープの効果”, 第85回 応用物理学会 秋季学術講演会, 新潟県 (9月, 2024), 口頭発表, 19p-C41-16.
  3. ○立木 馨大, 三上 杏太, 金子 光顕, 木本恒暢, “酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001), (1120)および(1100)MOSFETの移動度向上”, 第71回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京都 (3月, 2024), 口頭発表, 23p-52A-8. [論文奨励賞受賞記念講演(招待講演)]
  4. ○三上 杏太, 金子 光顕, 木本 恒暢, “4H-SiC無極性面上に作製したpチャネルMOSFETの移動度とその異方性”, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会, 石川県 (11月, 2023), ポスター発表, IIA-13.
  5. ○遅 熙倫, 立木 馨大, 三上 杏太, 金子 光顕, 木本恒暢, “SiC n・pチャネルMOSFETにおける移動度の異なる温度依存性の解析”, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会, 石川県 (11月, 2023), ポスター発表, IA-14.
  6. ○三上 杏太, 金子 光顕, 木本 恒暢, “無極性面の適用によるSiC pチャネルMOSFETの移動度向上”, 第84回 応用物理学会 秋季学術講演会, 熊本県/ハイブリッド (9月, 2023), 口頭発表, 21p-B201-1. [講演奨励賞受賞記念講演(招待講演)]
  7. ○三上 杏太, 金子 光顕, 木本 恒暢, “無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価”, 第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京都 (3月, 2023), 口頭発表, 16a-A301-8. [応用物理学会講演奨励賞 受賞]
  8. ○X. Chi, K. Tachiki, K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Subthreshold characteristics of 4H-SiC n- and p-channel MOSFETs at low temperature”, 第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京都 (3月, 2023), 口頭発表, 16a-A301-7.
  9. ○三上 杏太, 立木 馨大, 金子 光顕, 木本 恒暢, “酸化抑制プロセスで作製した高移動度無極性面SiC MOSFETの低温特性評価”, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会, 福岡県 (12月, 2022), ポスター発表, IA-8.
  10. ○三上 杏太, 立木 馨大, 金子 光顕, 木本 恒暢, “酸化抑制プロセスによって形成した高品質4H-SiC(1120)/SiO2界面の低温特性評価”, 第83回 応用物理学会 秋季学術講演会, 宮城県 (9月, 2022), 口頭発表, 21a-M206-2.
  11. ○木本 恒暢, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 三上 杏太, 金子 光顕, “SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展”, 第83回 応用物理学会 秋季学術講演会, 宮城県 (9月, 2022), 口頭発表, 21p-M206-2. [招待講演]
  12. ○村木 瞬星, 三上 杏太, 立木 馨大, 木本 恒暢, “酸化抑制プロセスを用いて作製したSiC MOSFET特性の表面水素処理時間依存性”, 第69回 応用物理学会 春季学術講演会, 神奈川県/ハイブリッド (3月, 2022), 口頭発表, 24p-E302-4.
  13. ○三上 杏太, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 木本 恒暢, “NOアニールを施した4H-SiC n・pチャネルMOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層不純物密度依存性”, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会, オンライン (12月, 2021), ポスター発表, IA-9.
  14. ○三上 杏太, 伊藤 滉二, 立木 馨大, 木本 恒暢, “様々なボディ層ドナー密度を有する4H-SiC(0001)pチャネルMOSFETのチャネル移動度評価”, 第68回 応用物理学会 春季学術講演会, オンライン (3月, 2021), 口頭発表, 18p-Z05-5.

受賞歴等

  1. 2024年10月：International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2024にてThe John Palmour Best Student Paper Awardを受賞
  2. 2024年3月 : 2023年度 先端光・電子デバイス創成学卓越大学院 研究グラント成果報告会において最優秀研究発表者賞を受賞
  3. 2023年9月 : 第54回(2023年春季)応用物理学会講演奨励賞を受賞
  4. 2023年7月 : 令和5年度 工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞