三上杏太

三上 杏太　(Kyota Mikami)
博士後期課程2回生　(修士博士連携コース)

研究テーマ

高温動作集積回路実現に向けたSiC MOSFETの基礎研究

経歴

  • 2023年4月 — 現在 :　京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 博士後期課程
  • 2021年4月 — 2023年3月：　京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻 博士前期課程
  • 2018年4月 — 2021年3月：　京都大学 工学部 電気電子工学科
  • 2013年4月 — 2018年3月：　国立明石工業高等専門学校 電気情報工学科

論文

  1. K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Insight Into Mobility Improvement by the Oxidation-Minimizing Process in SiC MOSFETs,” IEEE Trans. Electron Devices 71, 931 (2024).
  2. X. Chi, K. Tachiki, K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs,” Jpn. J. Appl. Phys. 62, 110906 (2023).
  3. K. Tachiki, K. Mikami, K. Ito, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Mobility enhancement in heavily doped 4H-SiC (0001), (1120), and (1100) MOSFETs via an oxidation-minimizing process,” Appl. Phys. Express 15, 071001 (2022). [Spotlights 2022]
  4. K. Mikami, K. Tachiki, K. Ito, and T. Kimoto, “Body doping dependence of field-effect mobility in both n- and p-channel 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with nitrided gate oxides,” Appl. Phys. Express 15, 036503 (2022).

国際会議

  1. 〇K. Mikami, M. Kaneko, T. Kimoto, “Anisotropy of mobility in SiC p-channel MOSFETs on nonpolar faces,” International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2024, Kyoto, Japan (Mar., 2024), Poster, P-45.
  2. 〇T. Kimoto, K. Tachiki, K. Mikami, X. Chi, and M. Kaneko, “Physics and Performance Improvement of SiC MOSFETs,” 2023 Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology, Kanazawa, Japan (Oct., 2023), Oral, S1-1. [Invited]
  3. 〇S. Toshimitsu, K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto, “SiC n-channel MOSFETs fabricated on a high-purity semi-insulating substrate,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, Sorrento, Italy (Sep., 2023), Oral, Devices 5-3.
  4. ○K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “High-mobility SiC p-channel MOSFETs on nonpolar faces,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, Sorrento, Italy (Sep., 2023), Oral, MOS II-1.
  5. ○X. Chi, K. Tachiki, K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Different temperature dependence of mobility in n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2023, Sorrento, Italy (Sep., 2023), Oral, MOS I-2.
  6. ○T. Kimoto, K. Tachiki, K. Mikami, and M. Kaneko, “Progress of SiC MOSFETs and JFETs beyond Power Applications,” IME Workshop on Wide Bandgap Semiconductors 2023, Singapore (Jul., 2023), Oral, I. [Invited]
  7. ○K. Mikami and T. Kimoto, “Fundamental study on SiC p-channel MOSFETs”, Mini-Conference on Next Generation Materials for Ultra Performance Microwave and Power Switching Applications, Online, May (2023).
  8. ○S. Muraki, K. Mikami, K. Tachiki, and T. Kimoto, “Characteristics of SiC MOSFETs Utilizing Oxidation-Suppressed Process with Various Hydrogen Treatment Time,” International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2023, Kyoto, Japan (Mar., 2023), Poster, P-74.
  9. ○X. Chi, K. Tachiki, K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Subthreshold Characteristics of 4H-SiC n- and p-channel MOSFETs at Low Temperature,” International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2023, Kyoto, Japan (Mar., 2023), Poster, P-18.
  10. ○K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto, “High-mobility SiC MOSFETs on nonpolar faces utilizing the oxidation-minimizing process,” International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2023, Kyoto, Japan (Mar., 2023), Poster, P-38.
  11. ○T. Kimoto, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, and M. Kaneko, “Progress and Future Challenges in SiC MOSFETs,” 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Taoyuan, Taiwan/Virtual (Nov., 2022), Oral, OTD-21. [Invited]
  12. ○K. Mikami, K. Tachiki, M. Kaneko, and T. Kimoto, “High-quality MOS interface on 4H-SiC(1120) formed by the oxidation-minimizing process,” International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2022, Davos, Switzerland (Sep., 2022), Oral, Mo-4-B.4.
  13. ○T. Kimoto, K. Tachiki, K. Ito, K. Mikami, M. Kaneko, M. Horita, and J. Suda, “High Mobility in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies,” 14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hiroshima, Japan (Aug., 2022), Oral, 2-2. [Invited]
  14. ○K. Mikami, K. Tachiki, K. Ito, and T. Kimoto, “Body doping dependence of channel mobility in both n- and p-channel 4H-SiC MOSFETs,” International Symposium on Creation of Advanced Photonic and Electronic Devices 2022, Kyoto, Japan (Mar., 2022), Poster, P-69.
  15. ○K. Mikami, K. Ito, K. Tachiki, and T. Kimoto, “Channel mobility of NO- and N2-annealed 4H-SiC(0001) p-channel MOSFETs with various donor concentrations of n-body,” European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2020-2021, Tours, France/Virtual (Oct., 2021), Oral, Tu-1B-01.

国内会議

  1. ○三上 杏太, 金子 光顕, 木本 恒暢, “4H-SiC無極性面上に作製したpチャネルMOSFETの移動度とその異方性”, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会, 石川県 (11月, 2023), ポスター発表, IIA-13.
  2. ○遅 熙倫, 立木 馨大, 三上 杏太, 金子 光顕, 木本恒暢, “SiC n・pチャネルMOSFETにおける移動度の異なる温度依存性の解析”, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第10回講演会, 石川県 (11月, 2023), ポスター発表, IA-14.
  3. ○三上 杏太, 金子 光顕, 木本 恒暢, “無極性面の適用によるSiC pチャネルMOSFETの移動度向上”, 第84回 応用物理学会 秋季学術講演会, 熊本県/ハイブリッド (9月, 2023), 口頭発表, 21p-B201-1. [講演奨励賞受賞記念講演(招待講演)]
  4. ○三上 杏太, 金子 光顕, 木本 恒暢, “無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価”, 第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京都 (3月, 2023), 口頭発表, 16a-A301-8. [応用物理学会講演奨励賞 受賞]
  5. ○X. Chi, K. Tachiki, K. Mikami, M. Kaneko, and T. Kimoto, “Subthreshold characteristics of 4H-SiC n- and p-channel MOSFETs at low temperature”, 第70回 応用物理学会 春季学術講演会, 東京都 (3月, 2023), 口頭発表, 16a-A301-7.
  6. ○三上 杏太, 立木 馨大, 金子 光顕, 木本 恒暢, “酸化抑制プロセスで作製した高移動度無極性面SiC MOSFETの低温特性評価”, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回講演会, 福岡県 (12月, 2022), ポスター発表, IA-8.
  7. ○三上 杏太, 立木 馨大, 金子 光顕, 木本 恒暢, “酸化抑制プロセスによって形成した高品質4H-SiC(1120)/SiO2界面の低温特性評価”, 第83回 応用物理学会 秋季学術講演会, 宮城県 (9月, 2022), 口頭発表, 21a-M206-2.
  8. ○木本 恒暢, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 三上 杏太, 金子 光顕, “SiCパワーMOSFETの課題とMOS界面高品質化の進展”, 第83回 応用物理学会 秋季学術講演会, 宮城県 (9月, 2022), 口頭発表, 21p-M206-2. [招待講演]
  9. ○村木 瞬星, 三上 杏太, 立木 馨大, 木本 恒暢, “酸化抑制プロセスを用いて作製したSiC MOSFET特性の表面水素処理時間依存性”, 第69回 応用物理学会 春季学術講演会, 神奈川県/ハイブリッド (3月, 2022), 口頭発表, 24p-E302-4.
  10. ○三上 杏太, 立木 馨大, 伊藤 滉二, 木本 恒暢, “NOアニールを施した4H-SiC n・pチャネルMOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層不純物密度依存性”, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第8回講演会, オンライン (12月, 2021), ポスター発表, IA-9.
  11. ○三上 杏太, 伊藤 滉二, 立木 馨大, 木本 恒暢, “様々なボディ層ドナー密度を有する4H-SiC(0001)pチャネルMOSFETのチャネル移動度評価”, 第68回 応用物理学会 春季学術講演会, オンライン (3月, 2021), 口頭発表, 18p-Z05-5.

受賞歴等

  1. 2024年3月 : 2023年度 先端光・電子デバイス創成学卓越大学院 研究グラント成果報告会において最優秀研究発表者賞を受賞
  2. 2023年9月 : 第54回(2023年春季)応用物理学会講演奨励賞を受賞
  3. 2023年7月 : 令和5年度 工学研究科馬詰研究奨励賞を受賞