アメリカノースカロライナ州ローリーで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2024, 9月29日-10月4日）において、三上杏太君（博士課程2回生）が「Doping-dependent fixed charges in SiC MOSFETs」という題目で招待講演者に選抜されました。