南園悠一郎君(D1)がIEEE EDS Kansai Chapter MSFK Award (Student Award)を受賞

2010/10/22 南園悠一郎君(D1)が、第10回IEEE関西電子デバイスワークショップでの発表「Enhanced Drain Current of 4H-SiC MOSFETs by Adopting a Three-Dimensional Gate Structure」に対して、IEEE EDS Kansai Chapter MSFK Award (Student Award)を受賞しました。