松岡大雅君(M1)が先進パワー半導体分科会第8回講演会で研究奨励賞を受賞

オンラインで開催された先進パワー半導体分科会 第8回講演会(12月9-10日)において、松岡大雅君(修士課程1回生)が「Sイオン注入n型SiC層の形成およびSドナーのイオン化エネルギー評価」の発表で研究奨励賞を受賞しました。