上智大学/オンラインで開催された2023年春季応用物理学会学術講演会 (3/15–3/18) における、「無極性面を用いた高移動度SiC pチャネルMOSFETの作製と評価」の発表に対し、三上杏太君（博士課程1回生、発表当時修士課程2回生）の講演奨励賞の受賞が決定しました。