青山学院大学/オンラインで開催された2022年春季応用物理学会学術講演会 (3/22–3/26) における、「様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性」の発表に対し、伊藤滉二君（博士課程3回生、発表当時博士課程2回生）の講演奨励賞の受賞が内定しました。