2019年5月，上海(中国)で開催されたパワー半導体デバイスおよびICに関する国際シンポジウム(ISPSD2019)において，前田拓也君(博士課程2回生)が「Estimation of Impact ionization Coefficient in GaN by Photomultiplication Measurements Utilizing Franz-Keldysh Effect」の発表でISPSD2019 Charitat Award (若手研究者最優秀賞)を受賞しました．