省エネの切り札として注目されているSiC半導体で長年、問題になっていたMOS界面欠陥を、環境に優しい手法で大幅に低減し、SiC MOSFETの性能を2倍に向上することに成功しました。詳細はこちら。 https://www […]
作者別: TanakaHajime
2020年秋の応用物理学会での発表予定
一般講演 6.3 酸化物エレクトロニクス9月11日(金) 13:15 〜 13:30 [11p-Z07-2]Ta酸化物中の化学組成分布と抵抗変化のアナログ制御性の相関〇宮谷 俊輝1、西 佑介1、木本 恒暢1 (1.京大院 […]
小林君のAPEX論文がMost Readランキングの1位を獲得
独自の手法で酸化膜/SiC界面を10倍高品質化した小林拓真君のAPEX論文(Appl. Phys. Express 13, 091003 (2020))が、APEX誌のMost Readランキングのトップを獲得しました。
逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功
低損失パワー半導体として有望なSiCで20年来の課題であった酸化膜/SiC界面欠陥を独自の概念、手法により、従来のベストに比べて1/10に低減することに成功しました。詳しくはこちら。 http://www.kyoto-u […]
木本教授が文部科学大臣表彰科学技術賞を受賞
木本恒暢教授が「炭化珪素半導体の基礎学理と電力用素子実用化に関する研究」という研究業績に対して、令和2年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞（研究部門）を受賞しました（4月7日）。
金子光顕先生が船井研究奨励賞を受賞
金子光顕助教が「界面不整転位導入による歪み制御窒化アルミニウム結晶の成長と物性解明」の業績により、船井情報科学振興財団から2019年度船井研究奨励賞を受賞しました。
前田拓也君(D2)が京都大学総長賞を受賞
3月16日，博士課程2回生(受賞時)の前田拓也君が学業において京都大学総長賞を受賞しました．
木本教授が岩谷直治記念賞を受賞
木本教授が「高効率電力変換用SiCパワー半導体の先駆的研究および実用化」の業績により、岩谷直治記念財団から第46回岩谷直治記念賞を受賞しました(3月9日)。
Appl. Phys. Lett.にて発表した論文 “Estimation of the critical condition for expansion/contraction of single Shockley stacking faults in 4H-SiC PiN diodes” が “Editor’s Pick” に選出
Applied Physics Lettersにて発表した論文”Estimation of the critical condition for expansion/contraction of single […]
前田拓也君(D2)がThe 65th International Electron Devices Meeting (IEDM2019)でThe 18th IEEE EDS Japan Chapter Student Award (IEDM)を受賞
サンフランシスコで開催されたThe 65th International Electron Devices Meeting (IEDM2019, 12月8-12日)において，前田拓也君(博士課程2回生)が「Impact […]