長浜ロイヤルホテルで開催された第36回電子材料シンポジウム(EMS)において、前田拓也君（修士課程2回生）が「逆バイアス電圧印加GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光電流の温度依存性」の発表でEMS賞を受賞しました。