2010/5/15 奥村宏典君(D2)が、「6H-SiC(0001)基板のステップ端を起因とする2H-AlN成長層の貫通刃状転位列の発生機構とGa先行照射によるその抑制」の発表について、第2回窒化物半導体結晶成長講演会発表奨励賞を受賞しました。