ソレント(イタリア)で開催されたInternational Conferernce On Sillicon Carbide and Related Materials 2023 (ICSCRM2023, 9/17-9/22)において、小酒井翔太君(修士課程1回生)が「Depth profiles of deep levels in the whole band gap generated by reactive ion etching near the surface of 4H-SiC」の発表に対しThe John Palmour Best Student Paper Awardを受賞しました。