イタリアソレントで開催されるInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2023, 9月17日-9月22日）において、小酒井翔太君（修士課程1回生）が「Depth profiles of deep levels in the whole band gap generated by reactive ion etching near the surface of 4H-SiC」という題目で招待講演者に選抜されました。リンクはコチラ。