柴田峻弥君(M1)が先進パワー半導体分科会第9回講演会で研究奨励賞を受賞

福岡国際会議場で開催された先進パワー半導体分科会 第9回講演会(12月19-21日)において、柴田峻弥君(修士課程1回生)が「半絶縁性SiC基板へのイオン注入により作製した縦ゲートJFETの閾値電圧制御性の向上」の発表で研究奨励賞を受賞しました。